公开(公告)号：CN118159030A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311213244.3

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炯永 ,  朴秀贞 ,  全惠颂 ,  表炫坤 ,  金益秀

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20

Abstract: 提供了制造半导体装置的方法。所述方法可以包括：在具有垂直堆叠结构的半导体装置中，在沉积牺牲金属层之前，在基底模制件的侧壁上选择性地沉积碳层。

公开(公告)号：CN111223869A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910869953.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一宇 ,  安相基 ,  表炫坤 ,  金益秀 ,  朴嬉淑 ,  任智芸

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/1157

Abstract: 在制造竖直存储器装置的方法中，包括氮化物的第一牺牲层形成在衬底上。在第一牺牲层上形成模具，模具包括交替且重复堆叠的绝缘层和第二牺牲层。绝缘层和第二牺牲层分别包括第一氧化物和第二氧化物。穿过模具和第一牺牲层形成沟道。穿过模具和第一牺牲层形成开口以暴露出衬底的上表面。通过开口去除第一牺牲层，以形成第一间隙。形成沟道连接图案以填充第一间隙。将第二牺牲层替换为栅电极。