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公开(公告)号：CN118159030A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311213244.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金炯永 , 朴秀贞 , 全惠颂 , 表炫坤 , 金益秀
IPC: H10B41/41 , H10B41/20 , H10B41/35 , H10B43/40 , H10B43/35 , H10B43/20
Abstract: 提供了制造半导体装置的方法。所述方法可以包括：在具有垂直堆叠结构的半导体装置中，在沉积牺牲金属层之前，在基底模制件的侧壁上选择性地沉积碳层。
