-
公开(公告)号：CN110752133B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201910639176.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/02 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。
-
公开(公告)号：CN111383949B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910869816.0
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。所述衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，其中，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；光学发射光谱(OES)系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述OES系统进行校准。
-
公开(公告)号：CN110752133A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910639176.4
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/02 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。
-
公开(公告)号：CN110729224A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910138038.8
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了装载锁模块和包括其的半导体制造设备。半导体制造设备包括：装载锁模块，其包括其中容纳衬底容器的装载锁室，其中装载锁模块被构造为在大气压强与真空之间切换装载锁室的内部压强；以及转移模块，其被构造为在容纳于装载锁室中的衬底容器与用于对衬底执行半导体制造处理的处理模块之间转移衬底，其中，装载锁模块包括：净化气体供应单元，其被构造为通过连接至衬底容器的气体供应线路将净化气体供应至衬底容器中；以及排放单元，其被构造为通过连接至衬底容器的排气线路排放衬底容器中的气体。
-
公开(公告)号：CN109559967A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811117706.0
申请日：2018-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括：腔室，其包括用于处理衬底的空间；衬底台，其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极；上电极，其在所述腔室内面向所述下电极；第一电源，其包括正弦波电源，所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体；以及第二电源，其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN111383949A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910869816.0
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。所述衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，其中，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；光学发射光谱(OES)系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述OES系统进行校准。
-
公开(公告)号：CN111211044A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910754012.6
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。
-
公开(公告)号：CN111128667A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910932187.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。
-
公开(公告)号：CN110867364A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910625718.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体监测装置，包括：物镜，被配置为收集从等离子体发射并穿过腔室的光学窗口的光；第一分束器，被配置为将由物镜收集的光分成第一光和第二光；第一光学系统和第二光学系统，分别设置在第一光的第一光路和第二光的第二光路上，第一光学系统和第二光学系统具有不同的焦距，使得第一光学系统和第二光学系统的焦点设置在等离子体中的不同区域；以及光检测器，被配置为检测已经穿过第一光学系统的第一光和已经穿过第二光学系统的第二光。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.028 seconds)
