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公开(公告)号：CN108962910B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810466878.2
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35
Abstract: 本公开提供了竖直存储器件。一种竖直存储器件包括在基板的第一区域上的导电图案结构，该导电图案结构包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠。焊盘结构设置在基板的第二区域上，基板的第二区域与基板的第一区域相邻，其中导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的各台阶的导电焊盘。多个沟道结构延伸穿过导电图案结构，并且多个虚设沟道结构延伸穿过焊盘结构。各接触插塞设置在导电焊盘上。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的每单位面积的数量是变化的。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的宽度也可以变化。
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公开(公告)号：CN116507991A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180079721.4
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16
Abstract: 根据本文件中公开的一个实施例，一种电子装置包括壳体、电池、电力管理模块、连接器、装置识别电路、存储器和处理器，其中，连接器包括第一子引脚行和第二子引脚行。处理器或装置识别电路可以：当外部配件装置连接到连接器并且在第一识别引脚中检测到指定电阻值时，控制电力管理模块，以便向第一电力引脚供给第一电力信号并且向第二识别引脚供给第二电力信号；通过第一识别引脚或第一数据引脚接收配件装置的第一标识信息；以及当第一标识信息是指定值或者与在存储器中所存储的第二标识信息匹配时，控制电力管理模块，以便阻止第一电力信号并且维持第二电力信号。
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公开(公告)号：CN107611132B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201710561061.9
申请日：2017-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种垂直存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底，在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠在衬底的单元区上的栅电极，在单元区上并在垂直方向上延伸穿过栅电极的沟道，在外围电路区上并在垂直方向上延伸的第一下接触插塞，在外围电路区上与第一下接触插塞相邻并在垂直方向上延伸的第二下接触插塞，以及电连接到第一下接触插塞的第一上布线。第一上布线被配置为将电信号施加到第一下接触插塞。第二下接触插塞不被电连接到配置为施加电信号的上布线。
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公开(公告)号：CN106997097B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710050607.4
申请日：2017-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种电子设备。电子设备包括第一连接器、第二连接器、连接感测电路和开关，其中，第一连接器包括配置为与第一外部电子设备连接的第一引脚和第二引脚；第二连接器配置为与第二外部电子设备；连接感测电路配置为感测经由第二连接器联接至第一引脚的第二外部电子设备的连接或断开；开关配置为如果经由连接感测电路感测到断开，则将经由第二引脚从第一外部电子设备接收的电力供应给第一引脚。
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公开(公告)号：CN107611132A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710561061.9
申请日：2017-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11573
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/5283 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575
Abstract: 一种垂直存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底，在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠在衬底的单元区上的栅电极，在单元区上并在垂直方向上延伸穿过栅电极的沟道，在外围电路区上并在垂直方向上延伸的第一下接触插塞，在外围电路区上与第一下接触插塞相邻并在垂直方向上延伸的第二下接触插塞，以及电连接到第一下接触插塞的第一上布线。第一上布线被配置为将电信号施加到第一下接触插塞。第二下接触插塞不被电连接到配置为施加电信号的上布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106997097A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710050607.4
申请日：2017-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F1/30 , G06F1/266 , G06F1/28 , G02B27/017 , G02B2027/0163 , H01R13/02 , H02J9/061
Abstract: 提供一种电子设备。电子设备包括第一连接器、第二连接器、连接感测电路和开关，其中，第一连接器包括配置为与第一外部电子设备连接的第一引脚和第二引脚；第二连接器配置为与第二外部电子设备；连接感测电路配置为感测经由第二连接器联接至第一引脚的第二外部电子设备的连接或断开；开关配置为如果经由连接感测电路感测到断开，则将经由第二引脚从第一外部电子设备接收的电力供应给第一引脚。
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公开(公告)号：CN106055508A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610236934.4
申请日：2016-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F13/385 , G06F3/1423 , G06F3/1454 , G06F9/4413 , G06F9/452 , G06F13/4022 , G06F13/4282 , G09G2340/02 , G09G2340/0407 , G09G2340/0442 , G09G2360/04 , G09G2370/16 , H02J50/10 , H02J50/80 , G06F13/124
Abstract: 公开了一种电子设备，包括：第一通信电路，使用第一通信协议执行通信；以及处理器，电连接到第一通信电路，其中，所述处理器基于预定相互操作来激活所述第一通信电路，至少部分地基于对第一通信电路的激活来设置电子设备的操作模式，以及基于所设置的操作模式通过交换电路来操作通用串行总线(USB)主机控制器。
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公开(公告)号：CN102956153A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210306276.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F1/1605
Abstract: 一种显示装置，包括：基座；支座，从基座延伸；和显示体，包括可拆卸地安装在支座的一个端部上的盖框、容纳在盖框内并配置为显示图像的显示单元、和安装在盖框上并配置为输出相应于多个音频声道的声音的多个扬声器。多个扬声器中的第一扬声器设置在盖框的四个侧面之中的下侧面的中心位置处，该下侧面面对基座并垂直于显示单元的图像显示侧，第一扬声器朝基座突出。
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公开(公告)号：CN101859778A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010163558.3
申请日：2010-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/11565 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的非易失性存储器件。该非易失性存储器件可以包括：单元阵列，具有三维地布置在半导体基板上的线状的多个导电图案，单元阵列彼此分离；半导体图案，从半导体基板延伸以与导电图案的侧壁交叉；公共源极区，沿导电图案延伸的方向设置在半导体图案下部分之下的半导体基板中；第一杂质区，设置在半导体基板中，使得第一杂质区沿与导电图案交叉的方向延伸以电连接公共源极区；以及第一接触孔，暴露第一杂质区的在分离的单元阵列之间的部分。
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公开(公告)号：CN1164761A
公开(公告)日：1997-11-12
申请号：CN96113405.4
申请日：1996-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。
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