公开(公告)号：CN1132232C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96113405.4

申请日：1996-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李辉健 ,  文大植 ,  金成经 ,  金敬勋 ,  郭奎焕

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。

公开(公告)号：CN1206932A

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：CN98101421.6

申请日：1998-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉埈仍 ,  田弼权 ,  尹敏相 ,  尹永焕 ,  郭奎焕 ,  全相文

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  C11D7/60 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/02063

Abstract: 一种用于制造半导体器件的清洗组合物以及用它制造半导体器件的方法。这种清洗组合物包括由下列成分组成的混合物:0.01%～10%(重量)的HF、1%～10%(重量)的H2O2、0.01%～30%(重量)的IPA(异丙醇)、其余为H2O。

公开(公告)号：CN1113395C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98101421.6

申请日：1998-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉埈仍 ,  田弼权 ,  尹敏相 ,  尹永焕 ,  郭奎焕 ,  全相文

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  C11D7/60 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/02063

Abstract: 一种用于制造半导体器件的清洗组合物以及用它制造半导体器件的方法。这种清洗组合物包括由下列成分组成的混合物：0.01%～10%(重量)的HF、1%～10%(重量)的H2O2、0.01%～30%(重量)的IPA(异丙醇)、其余为H2O。

公开(公告)号：CN1218986A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98117482.5

申请日：1998-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭奎焕 ,  李辉健 ,  崔百洵 ,  金镇成 ,  全相文

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明提供一种多晶硅腐蚀方法和腐蚀装置。所述方法包括步骤:a)把在确定层上具有多晶硅膜的晶片送入处理室;b)在预定范围内调节处理室的气压和温度;c)把包括卤素化合物的腐蚀气体送入处理室中并腐蚀多晶硅膜。所述装置包括:腐蚀气体供应源,周期的与腐蚀气体供应源相连并具有温度控制装置的处理室;和与处理室相连并用于控制处理室的气压状态的高真空管线。

公开(公告)号：CN1164761A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96113405.4

申请日：1996-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李辉健 ,  文大植 ,  金成经 ,  金敬勋 ,  郭奎焕

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。