公开(公告)号：CN1215764A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98102756.3

申请日：1998-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔百洵 ,  安重镒 ,  金镇成 ,  金重起

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置,包括:处理室;为处理室供应处理气体的处理气体供应管线;废气排放管,用于在处理后将处理室内的废气排放出去;清洗气体供应管线,用于向处理室内供应ClF3气体;取样歧管,用于利用压力差从处理室内提取气体样品;及QGA－QMS,用于分析取样气样,并利用上述RGA－QMS通过分析,根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。

公开(公告)号：CN1227389C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN98120050.8

申请日：1998-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵圣範 ,  金学弼 ,  辛银姬 ,  崔百洵

IPC: C23F1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明的现场监视等离子体腐蚀装置包括：工艺室，使用等离子体在其中进行腐蚀工艺；工艺气体提供装置，将工艺气体提供到工艺室内；废气排气装置，工艺室完成工艺后使用泵装置除去废气；采样管，连接到工艺室使用压力差采样工艺室内的气体；和气体分析仪，用于分析来自采样管的采样气体。工艺气体为从采样管连接采样的，并检测腐蚀和清洁工艺的优化工艺方法。

公开(公告)号：CN1117887C

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN98102756.3

申请日：1998-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔百洵 ,  安重镒 ,  金镇成 ,  金重起

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置，包括：处理室；为处理室供应处理气体的处理气体供应管线；废气排放管，用于在处理后将处理室内的废气排放出去；清洗气体供应管线，用于向处理室内供应ClF3气体；取样歧管，用于利用压力差从处理室内提取气体样品；及QGA-QMS，用于分析取样气样，并利用上述RGA-QMS通过分析，根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。

公开(公告)号：CN1218986A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98117482.5

申请日：1998-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭奎焕 ,  李辉健 ,  崔百洵 ,  金镇成 ,  全相文

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明提供一种多晶硅腐蚀方法和腐蚀装置。所述方法包括步骤:a)把在确定层上具有多晶硅膜的晶片送入处理室;b)在预定范围内调节处理室的气压和温度;c)把包括卤素化合物的腐蚀气体送入处理室中并腐蚀多晶硅膜。所述装置包括:腐蚀气体供应源,周期的与腐蚀气体供应源相连并具有温度控制装置的处理室;和与处理室相连并用于控制处理室的气压状态的高真空管线。

公开(公告)号：CN100504621C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200510009433.4

申请日：2005-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承铉 ,  裵恩美 ,  崔百洵 ,  全相文 ,  金大中 ,  尹广燮 ,  朴相圭 ,  金载昊 ,  李时镛 ,  金京美 ,  尹汝荣

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D7/266 ,  C11D11/0047

Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羟基-2-丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯或其混合物。

公开(公告)号：CN1221807A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98120050.8

申请日：1998-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵圣範 ,  金学弼 ,  辛银姬 ,  崔百洵

IPC: C23F1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明的现场监视等离子体腐蚀装置包括:工艺室,使用等离子体在其中进行腐蚀工艺;工艺气体提供装置,将工艺气体提供到工艺室内;废气排气装置,工艺室完成工艺后使用泵装置除去废气;采样管,连接到工艺室使用压力差采样工艺室内的气体;和气体分析仪,用于分析来自采样管的采样气体。工艺气体为从采样管连接采样的,并检测腐蚀和清洁工艺的优化工艺方法。

公开(公告)号：CN107034028B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201611111478.7

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 姜仁求 ,  金圣培 ,  崔百洵 ,  金秀莲 ,  洪荣泽 ,  金相泰 ,  李京浩 ,  洪亨杓 ,  金成民

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/32 ,  H01L21/02

Abstract: 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。

公开(公告)号：CN107034028A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611111478.7

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 姜仁求 ,  金圣培 ,  崔百洵 ,  金秀莲 ,  洪荣泽 ,  金相泰 ,  李京浩 ,  洪亨杓 ,  金成民

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09D9/005 ,  B32B37/0046 ,  B32B43/006 ,  B32B2383/00 ,  B32B2457/14 ,  C09D9/04 ,  C09J183/04 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/323 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057

Abstract: 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。

公开(公告)号：CN1655065A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510009433.4

申请日：2005-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承铉 ,  裵恩美 ,  崔百洵 ,  全相文 ,  金大中 ,  尹广燮 ,  朴相圭 ,  金载昊 ,  李时镛 ,  金京美 ,  尹汝荣

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D7/266 ,  C11D11/0047

Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2－羟基－2－丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3－乙氧基丙酸酯或其混合物。