-
公开(公告)号：CN106637136A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610884328.3
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。
-
公开(公告)号：CN1117887C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98102756.3
申请日：1998-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置，包括：处理室；为处理室供应处理气体的处理气体供应管线；废气排放管，用于在处理后将处理室内的废气排放出去；清洗气体供应管线，用于向处理室内供应ClF3气体；取样歧管，用于利用压力差从处理室内提取气体样品；及QGA-QMS，用于分析取样气样，并利用上述RGA-QMS通过分析，根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。
-
公开(公告)号：CN106637136B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610884328.3
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。
-
公开(公告)号：CN1215764A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN98102756.3
申请日：1998-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置,包括:处理室;为处理室供应处理气体的处理气体供应管线;废气排放管,用于在处理后将处理室内的废气排放出去;清洗气体供应管线,用于向处理室内供应ClF3气体;取样歧管,用于利用压力差从处理室内提取气体样品;及QGA－QMS,用于分析取样气样,并利用上述RGA－QMS通过分析,根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.022 seconds)
