-
公开(公告)号：CN102760661B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN102034928A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010505747.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种相变存储器器件，包括：下电极、电连接到所述下电极的相变材料图案以及电连接到所述相变材料图案的上电极。所述下电极可以包括：第一结构，所述第一结构包括金属半导体化合物；在所述第一结构上的第二结构，所述第二结构包括金属氮化物材料，并且包括具有比上部更大的宽度的下部；以及第三结构，所述第三结构包括含元素X的金属氮化物材料，所述第三结构位于所述第二结构上，所述元素X包括选自硅、硼、铝、氧和碳的组中的至少一个。
-
公开(公告)号：CN102760661A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN1172513C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN01143623.9
申请日：2001-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟喆
IPC: H04M1/02
CPC classification number: H04M1/56 , G09G3/20 , G09G2310/0283 , H04M1/05 , H04M1/6041
Abstract: 本发明公开了一种用于改变便携式电话中的显示器的图像显示方向的方法，该方法包括步骤：在以预定显示方向通过显示器显示图像的同时，确定是否选择了显示方向改变模式；以及如果选择了显示方向改变模式，则改变显示方向。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106637136B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610884328.3
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。
-
公开(公告)号：CN1390024A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN01143623.9
申请日：2001-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李钟喆
IPC: H04M1/02
CPC classification number: H04M1/56 , G09G3/20 , G09G2310/0283 , H04M1/05 , H04M1/6041
Abstract: 本发明公开了一种用于改变便携式电话中的显示器的图像显示方向的方法,该方法包括步骤:在以预定显示方向通过显示器显示图像的同时,确定是否选择了显示方向改变模式;以及如果选择了显示方向改变模式,则改变显示方向。
-
公开(公告)号：CN108070845A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711104240.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45534 , C23C16/45551 , C23C16/458 , C23C16/4584 , H01L21/68771 , C23C16/45574 , C23C16/4581
Abstract: 本发明提供了朝基板注入工艺气体的气体注入装置以及包括该气体注入装置的基板处理装置。该气体注入装置包括：基部；在基部上的第一气体注入部，第一气体注入部用于注入包括反应抑制官能团的第一气体；在基部上在一个方向上与第一气体注入部间隔开的第二气体注入部，第二气体注入部用于注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及在基部上在所述一个方向上与第二气体注入部间隔开的第三气体注入部，第三气体注入部用于注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。
-
公开(公告)号：CN107017189A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710048206.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/67017 , H01L21/67253 , H01L21/67011 , H01L21/67242 , H01L22/30
Abstract: 本公开涉及半导体器件制造装置。一种半导体器件制造装置包括在腔室的顶部的喷头、在喷头上的供气部件、在腔室中的基座和在腔室下方的排气部件。腔室具有实际上彼此隔开的第一和第二反应空间。第一气体供给管将第一气体供应进第一反应空间中，第二气体供给管将第二气体供应进第二反应空间中。在基座的彼此对立的侧上，第一排气管邻近第一反应空间，第二排气管邻近第二反应空间。连接到第一排气管的第一气体传感器感测第二气体，连接到第二排气管的第二气体传感器感测第一气体。
-
公开(公告)号：CN106637136A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610884328.3
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.029 seconds)
