-
公开(公告)号：CN111724828B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202010180730.X
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的设备。所述半导体器件包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述栅电极和所述层间绝缘层延伸到所述衬底；以及第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述栅电极和所述层间绝缘层。每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间。在每个栅电极的位于与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大。
-
公开(公告)号：CN102034928A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010505747.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种相变存储器器件，包括：下电极、电连接到所述下电极的相变材料图案以及电连接到所述相变材料图案的上电极。所述下电极可以包括：第一结构，所述第一结构包括金属半导体化合物；在所述第一结构上的第二结构，所述第二结构包括金属氮化物材料，并且包括具有比上部更大的宽度的下部；以及第三结构，所述第三结构包括含元素X的金属氮化物材料，所述第三结构位于所述第二结构上，所述元素X包括选自硅、硼、铝、氧和碳的组中的至少一个。
-
公开(公告)号：CN112820731A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011283776.0
申请日：2020-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：栅极层，在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠在衬底上；以及沟道结构，穿透栅极层并在第一方向上延伸，每个沟道结构包括分别在栅极层的侧表面上并在第一方向上彼此间隔开的第一电介质层、分别在第一电介质层的侧表面上并在第一方向上彼此间隔开的电荷存储层、垂直于衬底延伸以与电荷存储层的侧表面一致的第二电介质层、以及垂直延伸的沟道层，并且每个第一电介质层在第一方向上具有第一最大长度，每个电荷存储层在第一方向上具有大于第一最大长度的第二最大长度。
-
公开(公告)号：CN112447751A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010897781.4
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11565 , H01L27/11568
Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括衬底上的并且相对于衬底的上表面垂直地堆叠的栅电极。半导体装置包括与栅电极交替地堆叠的层间绝缘层。此外，半导体装置包括穿过栅电极的沟道结构。沟道结构中的每一个包括相对于衬底的上表面垂直地延伸的沟道层、沟道层上的隧穿绝缘层、栅电极与隧穿绝缘层的侧表面之间的对应的区中的隧穿绝缘层上的电荷存储层以及分别位于电荷存储层上的第一阻挡绝缘层。第一阻挡绝缘层的第一层位于电荷存储层的第一层的上表面、下表面和侧表面上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113764430A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110573257.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极，所述栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且彼此间隔开；层间绝缘层，所述层间绝缘层与所述栅电极交替堆叠在所述衬底上；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述栅电极；和分隔区域，所述分隔区域在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，每个所述栅电极包括顺序堆叠的第一导电层和第二导电层，所述第二导电层包括金属氮化物，并且其中，所述第一导电层和所述第二导电层均与所述分隔区域物理接触。
-
公开(公告)号：CN111724828A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010180730.X
申请日：2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/02 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L27/11563 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L29/732
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的设备。所述半导体器件包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述栅电极和所述层间绝缘层延伸到所述衬底；以及第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述栅电极和所述层间绝缘层。每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间。在每个栅电极的位于与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大。
-
公开(公告)号：CN112447751B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202010897781.4
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括衬底上的并且相对于衬底的上表面垂直地堆叠的栅电极。半导体装置包括与栅电极交替地堆叠的层间绝缘层。此外，半导体装置包括穿过栅电极的沟道结构。沟道结构中的每一个包括相对于衬底的上表面垂直地延伸的沟道层、沟道层上的隧穿绝缘层、栅电极与隧穿绝缘层的侧表面之间的对应的区中的隧穿绝缘层上的电荷存储层以及分别位于电荷存储层上的第一阻挡绝缘层。第一阻挡绝缘层的第一层位于电荷存储层的第一层的上表面、下表面和侧表面上。
-
公开(公告)号：CN114068574A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110879545.4
申请日：2021-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括：在第一基板上的电路元件；栅电极，在第二基板上并堆叠为在第一方向上彼此间隔开；牺牲绝缘层，在穿透第二基板的下贯穿绝缘层上，堆叠为在第一方向上彼此间隔开，并具有与栅电极相对的侧表面；沟道结构，穿透栅电极，在第二基板上垂直地延伸，并包括沟道层；第一分隔图案，穿透栅电极并包括第一阻隔图案和从第一阻隔图案在第二方向上延伸的第一图案部分；以及第二分隔图案，穿透栅电极，设置为平行于第一分隔图案并在第二方向上延伸。牺牲绝缘层的侧表面中的一些可以在第三方向上与第一阻隔图案重叠。
-
公开(公告)号：CN103378167A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310128627.0
申请日：2013-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/788 , H01L21/28273 , H01L27/11529 , H01L29/42332 , H01L29/4925 , H01L29/4958 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一多晶硅图案，在该衬底上；金属图案，在该第一多晶硅图案上；以及界面层，在该第一多晶硅图案与该金属图案之间。该界面层可包括从金属－硅氮氧化物层、金属－硅氧化物层以及金属－硅氮化物层的组中选择的至少之一。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.028 seconds)
