公开(公告)号：CN111724828B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202010180730.X

申请日：2020-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林泰洙 ,  朴景旭 ,  李根 ,  韩赫

IPC: G11C5/02 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  H10B43/00 ,  H10B43/10 ,  H10B43/20 ,  H10B43/30 ,  H10D10/40

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的设备。所述半导体器件包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述栅电极和所述层间绝缘层延伸到所述衬底；以及第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述栅电极和所述层间绝缘层。每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间。在每个栅电极的位于与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大。

公开(公告)号：CN110344026B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201910071759.1

申请日：2019-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  韩东勋 ,  金度亨 ,  朴景旭 ,  裴钟容 ,  李先秀 ,  李寅载 ,  李全一 ,  林彩默

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供了一种层沉积方法和层沉积设备。在层沉积方法中，将基底装载到工艺腔室中。将气体充入气体填充罐至预定充入压强。升高气体的压强至大于预定充入压强的压强。将气体导入工艺腔室中。

公开(公告)号：CN111724828A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010180730.X

申请日：2020-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林泰洙 ,  朴景旭 ,  李根 ,  韩赫

IPC: G11C5/02 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/732

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的设备。所述半导体器件包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述栅电极和所述层间绝缘层延伸到所述衬底；以及第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述栅电极和所述层间绝缘层。每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间。在每个栅电极的位于与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大。

公开(公告)号：CN110344026A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910071759.1

申请日：2019-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  韩东勋 ,  金度亨 ,  朴景旭 ,  裴钟容 ,  李先秀 ,  李寅载 ,  李全一 ,  林彩默

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供了一种层沉积方法和层沉积设备。在层沉积方法中，将基底装载到工艺腔室中。将气体充入气体填充罐至预定充入压强。升高气体的压强至大于预定充入压强的压强。将气体导入工艺腔室中。