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    极紫外光源装置
    1.
    发明公开
    极紫外光源装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN117872682A

    公开(公告)日：2024-04-12

    申请号：CN202311306974.8

    申请日：2023-10-10

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 李寅载 ,  金圣协 ,  南艺彬 ,  尹大根

    IPC: G03F7/20

    Abstract: 一种极紫外光源装置，包括：腔室，其具有下表面、中间焦点、在下表面和上表面之间的侧表面、第一排气口以及第二排气口，在下表面上布置有聚光镜，在上表面上具有第二排气口，并且第二排气口与中间焦点间隔开；液滴供应装置，其与腔室的侧表面相邻，并且被构造为将液滴供应至腔室中以生成极紫外光；光源，其被构造为通过使激光振荡来生成极紫外光；捕捉器，其与腔室的侧表面相邻，与液滴供应装置相对，并且被构造为接收从液滴供应装置排出的液滴；第一排气单元，其连接到第一排气口；以及第二排气单元，其与腔室的上表面相邻，并且连接到第二排气口。

    用于EUV光的光源容器
    4.
    发明公开
    用于EUV光的光源容器 审中-公开

    公开(公告)号：CN118259555A

    公开(公告)日：2024-06-28

    申请号：CN202311753012.7

    申请日：2023-12-19

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 尹大根 ,  金圣协 ,  洪承杓 ,  李寅载

    IPC: G03F7/20

    Abstract: 一种用于极紫外(EUV)光的光源容器，包括：主体，包括设置在中心部分中的用于排出锡碎片的出口和设置在上端部分中的中间焦点(IF)；以及反射器，设置在主体的下端，并包括激光通过的通孔。主体包括：设置在中间焦点的下部上的IF封盖部分，包括设置在其外表面上的加热器；以及设置在中间焦点的上部上的IF扫描器部分，包括设置在其外表面上的冷却管。IF封盖部分的内表面包括锡残渣流经的流槽，并且该光源容器还包括与流槽连接的收集容器。

    基板处理装置
    5.
    发明公开
    基板处理装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN117930592A

    公开(公告)日：2024-04-26

    申请号：CN202311391987.X

    申请日：2023-10-25

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 李寅载 ,  裵城庸 ,  尹大根 ,  崔仁镐 ,  金圣协 ,  金宜信 ,  金桢吉 ,  南艺彬 ,  李东镇 ,  李钟俱 ,  郑都铉 ,  郑东植

    IPC: G03F7/20 ,  H01L21/67

    Abstract: 一种基板处理装置包括：在曝光腔室中的台，曝光腔室被配置为对半导体基板执行曝光工艺；引导器件，包括在第一水平方向上可滑动地移动的第一水平驱动体和在第一水平驱动体上并具有沟槽的导轨，导轨在第二水平方向上延伸；连接到引导器件的定位器件，该定位器件包括滑块、第二水平驱动体和基板台，滑块配置为沿着沟槽在第二水平方向上可滑动地移动，第二水平驱动体连接或固定到滑块，基板台在第二水平驱动体上并被配置为支撑半导体基板；以及在导轨和基板台之间的阻挡构件，以阻挡异物流入到基板台上。

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