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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116364642A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211710531.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 一种晶圆卡盘台包括：中心板，其具有多个第一突起，每个第一突起具有至少部分地限定第一参考平面的上端；分段板，其围绕中心板布置并且具有多个第二突起，每个第二突起具有至少部分地限定第二参考平面的上端，使得分段板具有至少部分地限定单独的相应第二参考平面的单独的相应多个第二突起；以及驱动单元，其被配置为调节分段板相对于中心板的倾斜角度，使得第一参考平面和单独的相应第二参考平面共面。
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公开(公告)号：CN119730344A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411107642.1
申请日：2024-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可包括：第一半导体结构，其包括第一衬底结构的上表面上的第一器件层，第一器件层包括半导体器件的第一区域；以及第二半导体结构，其包括第二衬底结构的下表面上的第二器件层，第二器件层连接到第一器件层并且包括半导体器件的第二区域。第一衬底结构可包括第一晶片和第一晶片上的第二晶片。第二晶片可与第一器件层接触。第二衬底结构可包括第三晶片和第三晶片的下表面上的第四晶片。第四晶片可与第二器件层接触。第二晶片的上表面可以是(100)晶面。
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公开(公告)号：CN119486254A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410523365.6
申请日：2024-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H01L23/528 , H10D84/03 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 提供了集成电路器件及制造其的方法。该集成电路器件包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底具有前侧表面和背侧表面；前道工序FEOL结构，FEOL结构位于所述第一半导体衬底的前侧表面上，FEOL结构包括多个鳍型有源区；第一后道工序BEOL结构，第一BEOL结构位于FEOL结构上；第二BEOL结构，第二BEOL结构位于第一半导体衬底的背侧表面上；以及第二半导体衬底，第二半导体衬底以FEOL结构和第一BEOL结构位于第二半导体衬底与第一半导体衬底之间的方式在垂直方向上与所述第一半导体衬底间隔开，其中，第一半导体衬底中平行于前侧表面延伸的第一晶向的杨氏模量不同于第二半导体衬底中在垂直方向上与第一晶向交叠并且平行于第一晶向延伸的第二晶向的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN117930592A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311391987.X
申请日：2023-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种基板处理装置包括：在曝光腔室中的台，曝光腔室被配置为对半导体基板执行曝光工艺；引导器件，包括在第一水平方向上可滑动地移动的第一水平驱动体和在第一水平驱动体上并具有沟槽的导轨，导轨在第二水平方向上延伸；连接到引导器件的定位器件，该定位器件包括滑块、第二水平驱动体和基板台，滑块配置为沿着沟槽在第二水平方向上可滑动地移动，第二水平驱动体连接或固定到滑块，基板台在第二水平驱动体上并被配置为支撑半导体基板；以及在导轨和基板台之间的阻挡构件，以阻挡异物流入到基板台上。
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公开(公告)号：CN116313974A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211632203.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种设备包括：卡盘，其具有被配置为支撑基板的上表面；固定单元，其被配置为产生用于将基板沿第一垂直方向固定到卡盘的夹持力并将夹持力施加到基板；以及控制器，其被配置为基于与当将基板固定到卡盘的上表面时重叠恶化的程度相对应的参考重叠分布，来在垂直于第一方向的平面上将卡盘划分为多个区域，并且独立地控制施加到多个区域中的每一个的夹持力的相应大小。控制器被配置为减小施加到多个区域中的包括具有参考重叠分布中的高重叠恶化的程度的区的区域的夹持力的大小。
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