公开(公告)号：CN119446893A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411031307.8

申请日：2024-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢枓 ,  金圣协 ,  金雄基

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/30

Abstract: 一种晶圆包括：在晶圆主体的一个表面上围绕半导体芯片区域的划道；以及应力调节部分，其位于划道中，并且包括具有至少与晶圆主体的材料不同的材料的第一膜和第二膜。可以在半导体工艺之前提供晶圆。

公开(公告)号：CN116364642A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211710531.0

申请日：2022-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟俱 ,  金圣协 ,  金桢枓 ,  金贤真 ,  金正桓

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶圆卡盘台包括：中心板，其具有多个第一突起，每个第一突起具有至少部分地限定第一参考平面的上端；分段板，其围绕中心板布置并且具有多个第二突起，每个第二突起具有至少部分地限定第二参考平面的上端，使得分段板具有至少部分地限定单独的相应第二参考平面的单独的相应多个第二突起；以及驱动单元，其被配置为调节分段板相对于中心板的倾斜角度，使得第一参考平面和单独的相应第二参考平面共面。

公开(公告)号：CN117637529A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311041976.9

申请日：2023-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢枓 ,  金圣协 ,  朴竣显 ,  黃贞焕 ,  陈多喜 ,  崔健洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 一种用于加热晶片的设备包括：加热器；在加热器的上表面上的加热块；以及从加热块的上表面突出的多个支撑突出部，其中，加热块的上表面具有中心部分成凹形的弯曲形状，并且所述多个支撑突出部当中至少在加热块的中心部分处的支撑突出部被构造为响应于加热器的加热而变形。

公开(公告)号：CN116313974A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211632203.3

申请日：2022-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢枓 ,  金圣协 ,  金贤真 ,  李钟俱 ,  韩东暻

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种设备包括：卡盘，其具有被配置为支撑基板的上表面；固定单元，其被配置为产生用于将基板沿第一垂直方向固定到卡盘的夹持力并将夹持力施加到基板；以及控制器，其被配置为基于与当将基板固定到卡盘的上表面时重叠恶化的程度相对应的参考重叠分布，来在垂直于第一方向的平面上将卡盘划分为多个区域，并且独立地控制施加到多个区域中的每一个的夹持力的相应大小。控制器被配置为减小施加到多个区域中的包括具有参考重叠分布中的高重叠恶化的程度的区的区域的夹持力的大小。