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发明公开
用于加热晶片的设备审中-公开

公开(公告)号：CN117637529A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311041976.9

申请日：2023-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢枓 , 金圣协 , 朴竣显 , 黃贞焕 , 陈多喜 , 崔健洙

IPC: H01L21/67 , H01L21/687

Abstract: 一种用于加热晶片的设备包括：加热器；在加热器的上表面上的加热块；以及从加热块的上表面突出的多个支撑突出部，其中，加热块的上表面具有中心部分成凹形的弯曲形状，并且所述多个支撑突出部当中至少在加热块的中心部分处的支撑突出部被构造为响应于加热器的加热而变形。

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