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公开(公告)号：CN106449648B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610326106.X
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 提供了具有虚设通道区的垂直存储装置。所述存储装置包括：均在与基底的上表面垂直的方向上延伸的多个通道区；与通道区相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层和多个绝缘层，每个栅电极层延伸不同的长度；以及与所述多个栅电极层的第一端相邻的多个虚设通道区，其中，基底包括形成在所述多个虚设通道区下方的基底绝缘层。
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公开(公告)号：CN106449648A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610326106.X
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 提供了具有虚设通道区的垂直存储装置。所述存储装置包括：均在与基底的上表面垂直的方向上延伸的多个通道区；与通道区相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层和多个绝缘层，每个栅电极层延伸不同的长度；以及与所述多个栅电极层的第一端相邻的多个虚设通道区，其中，基底包括形成在所述多个虚设通道区下方的基底绝缘层。
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公开(公告)号：CN110112137B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910417752.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有虚设通道区的垂直存储装置，所述存储装置包括：第一基底；第二基底，位于第一基底上；栅电极层和绝缘层，堆叠在第二基底的上表面上；多个第一通道区和多个第二通道区，多个第一通道区位于第一子单元阵列区中，多个第二通道区位于第二子单元阵列区中，第一通道区和第二通道区中的每个在与第二基底的上表面垂直的第一方向上延伸以穿过栅电极层和绝缘层中的至少一些；以及分隔绝缘层，设置在第一子单元阵列区和第二子单元阵列区之间，分隔绝缘层在与第二基底的上表面平行的第二方向上延伸，其中，设置在分隔绝缘层的第一侧上的至少两个第一通道区和设置在分隔绝缘层的第二侧上的至少两个第二通道区是位线未连接到其上的虚设通道区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112137A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910417752.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 提供了一种具有虚设通道区的垂直存储装置，所述存储装置包括：第一基底；第二基底，位于第一基底上；栅电极层和绝缘层，堆叠在第二基底的上表面上；多个第一通道区和多个第二通道区，多个第一通道区位于第一子单元阵列区中，多个第二通道区位于第二子单元阵列区中，第一通道区和第二通道区中的每个在与第二基底的上表面垂直的第一方向上延伸以穿过栅电极层和绝缘层中的至少一些；以及分隔绝缘层，设置在第一子单元阵列区和第二子单元阵列区之间，分隔绝缘层在与第二基底的上表面平行的第二方向上延伸，其中，设置在分隔绝缘层的第一侧上的至少两个第一通道区和设置在分隔绝缘层的第二侧上的至少两个第二通道区是位线未连接到其上的虚设通道区。
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公开(公告)号：CN109390198A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810479744.4
申请日：2018-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/68735 , B23B31/02 , H01L21/02021 , H01L21/265 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67213 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01J37/32715 , H01J37/32633
Abstract: 本申请公开了一种晶圆支撑组件和半导体处理设备。该晶圆支撑组件可以包括晶圆卡盘，所述晶圆卡盘包括第一表面和第二表面，其中，所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对。边缘遮挡结构可以覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，其中，所述边缘遮挡结构可以具有遮挡主体，其具有面向所述中央区域的具有倾斜侧表面。
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公开(公告)号：CN116266990A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211604342.5
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：外围电路结构，位于衬底上；以及存储单元阵列，位于外围电路结构上，并且包括在与衬底的上表面基本垂直的第一方向上布置的多个存储单元，其中，外围电路结构包括：第一元件隔离层，位于衬底上并且限定第一有源区；沟道半导体层，位于第一有源区上并且包括处于比第一元件隔离层的上表面高的高度处的上表面；第一栅极结构，位于沟道半导体层上；第二元件隔离层，位于衬底上，限定第二有源区和第三有源区，并且包括处于比第一元件隔离层的上表面高的高度处的上表面；第二栅极结构，位于第二有源区上；以及第三栅极结构，位于第三有源区上。
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公开(公告)号：CN115223949A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210364300.2
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L25/18 , H01L27/108 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括：提供包括缓冲层和基体基板的第一基板；在所述缓冲层上形成包括多个单元层叠件的堆叠模制结构，每个所述单元层叠件包括在垂直方向上顺序地堆叠的第一牺牲层、第一硅层、第二牺牲层和第二硅层；以及通过替换工艺将所述堆叠模制结构替换为堆叠存储结构，其中，所述堆叠存储结构包括替换了所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的金属图案以及替换了所述第二硅层的绝缘图案，所述缓冲层包括硅锗，并且所述缓冲层的锗浓度根据所述第一牺牲层的锗浓度和所述第二牺牲层的锗浓度而改变。
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公开(公告)号：CN113764430A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110573257.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括：栅电极，所述栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且彼此间隔开；层间绝缘层，所述层间绝缘层与所述栅电极交替堆叠在所述衬底上；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述栅电极；和分隔区域，所述分隔区域在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，每个所述栅电极包括顺序堆叠的第一导电层和第二导电层，所述第二导电层包括金属氮化物，并且其中，所述第一导电层和所述第二导电层均与所述分隔区域物理接触。
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