公开(公告)号：CN110634942B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910460498.2

申请日：2019-05-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔庆寅 ,  宋炫彻 ,  金善政 ,  金泰坤 ,  郑圣勋

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案和第二有源图案；器件隔离层，所述器件隔离层填充所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽，所述器件隔离层包括掺杂有氦的氧化硅层，所述器件隔离层的氦浓度高于所述第一有源图案和所述第二有源图案的氦浓度；以及栅电极，所述栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉。

公开(公告)号：CN109390198A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810479744.4

申请日：2018-05-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋炫彻 ,  金泰坤 ,  崔庆寅 ,  崔善洪 ,  崔韩梅 ,  韩尚勋

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/68735 ,  B23B31/02 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32633

摘要： 本申请公开了一种晶圆支撑组件和半导体处理设备。该晶圆支撑组件可以包括晶圆卡盘，所述晶圆卡盘包括第一表面和第二表面，其中，所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对。边缘遮挡结构可以覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，其中，所述边缘遮挡结构可以具有遮挡主体，其具有面向所述中央区域的具有倾斜侧表面。

公开(公告)号：CN110634942A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910460498.2

申请日：2019-05-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔庆寅 ,  宋炫彻 ,  金善政 ,  金泰坤 ,  郑圣勋

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案和第二有源图案；器件隔离层，所述器件隔离层填充所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽，所述器件隔离层包括掺杂有氦的氧化硅层，所述器件隔离层的氦浓度高于所述第一有源图案和所述第二有源图案的氦浓度；以及栅电极，所述栅电极与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉。

公开(公告)号：CN109841572A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811416261.6

申请日：2018-11-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔庆寅 ,  韩尚勋 ,  金善政 ,  金泰坤 ,  宋炫彻

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构的侧壁上形成间隔件；形成初步第一层间绝缘图案以填充相邻间隔件之间的间隙；通过第一蚀刻工艺蚀刻所述初步第一层间绝缘图案的上部，以形成初步第二层间绝缘图案；通过离子注入工艺在所述伪栅极结构、所述间隔件和所述初步第二层间绝缘图案上注入离子；通过第二蚀刻工艺蚀刻所述初步第二层间绝缘图案的上部，以形成具有平坦上表面的层间绝缘图案；以及在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案以填充所述间隔件之间的间隙。