公开(公告)号：CN106024566B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610032933.8

申请日：2016-01-19

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 置田尚吾 ,  针贝笃史 ,  松原功幸

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

摘要： 一种等离子处理装置，具备：反应室；使反应室中产生等离子的等离子产生部；配置在反应室的内部，搭载输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的升降机构，1)在使支撑部下降，将输送载体搭载于工作台时，在进行设置在工作台内部的加热器对工作台的加热的状态下，静电吸附机构开始向电极部施加电压，在输送载体与工作台接触后，且停止加热器对工作台的加热后，等离子产生部产生等离子，或2)在使支撑部下降，将输送载体搭载于工作台时，支撑部支撑输送载体，以使框架在相对于工作台倾斜的状态下与工作台接触。

公开(公告)号：CN108807126A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810426752.2

申请日：2018-05-07

申请人： 应用材料公司

发明人： H·于 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  C-A·陈 ,  A·巴拉克利斯纳

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/3299 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01J2237/3344 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01J37/32165

摘要： 本公开内容涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。改变在基板组件内的中心电极和环形电极上的电压/电流分布促进等离子体在所述基板上的空间分布。所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极。所述环形电极与所述中心电极间隔开并周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者。

公开(公告)号：CN108738173A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810354235.9

申请日：2018-04-19

申请人： 日本特殊陶业株式会社

发明人： 梅木俊哉 ,  北林徹夫

IPC分类号： H05B3/20 ,  H05B3/03 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01C1/02 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785 ,  H05B3/36 ,  H05B6/105

摘要： 本发明提供陶瓷构件，其能抑制漏电流的产生并能容易谋求将晶圆加热至期望温度。陶瓷加热器(100)是通过将具有能够载置晶圆的载置面(11)且由埋设有射频电极(30)的陶瓷烧结体制成的射频板(10)和由埋设有加热器(40)的陶瓷烧结体制成的加热板(20)在射频板(10)的与载置面相反的一侧以隔有空间(S)的状态接合起来而成的。空间在与载置面(11)垂直的方向上的最小高度(H(mm))、射频板(10)与加热板(20)相接合的部分的总面积相对于沿着被载置面(11)的外缘所限定的载置面(11)的平面的面积之比(A)、以及射频电极(30)与加热器(40)之间的距离(D(mm))的关系，满足H/A≤1000，且满足H/A+(D－H)/(1－A)≥14。

公开(公告)号：CN108711558A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810447179.3

申请日：2018-05-11

申请人： 北京华卓精科科技股份有限公司

发明人： 杨鹏远 ,  侯占杰 ,  王建冲 ,  唐娜娜 ,  韩玮琦 ,  张玉利 ,  黎远成 ,  荣吉平 ,  姜鑫 ,  李金亮

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833

摘要： 本发明公开了一种静电卡盘表面形貌的制备方法，属于静电卡盘领域。所述静电卡盘表面形貌的制备方法包括：步骤1：在静电卡盘的介电层表面涂覆或者贴合保护膜，所述保护膜包括曝光区域和不曝光区域；步骤2：对所述不曝光区域贴合光刻掩膜板，对所述曝光区域进行曝光、显影和清洗；步骤3：对清洗后的曝光区域进行凸点沉积；步骤4：对凸点沉积后的介电层的不曝光区域进行清洗。本发明不仅可以根据不同需求，制备出与介电层材料不同的一层或者多层凸点涂层，满足静电卡盘多方面性能需求，而且该方法工艺简单，易操作，效率高，制备过程更加环保。

公开(公告)号：CN108695225A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810503741.X

申请日：2018-05-23

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 姜祎祎 ,  吴人杰

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833

摘要： 本发明涉及一种静电吸盘，主要包括底座、陶瓷体及层叠体，层叠体位于底座及陶瓷体之间，层叠体包括密封结构及加热结构等，密封结构环绕加热结构，并且，密封结构靠近底座一侧的面积较靠近陶瓷体一侧的面积大。本发明的密封结构可增加其有效刻蚀面积，延长静电吸盘内部抵抗等离子体轰击的时间，从而延长静电吸盘的使用寿命。

公开(公告)号：CN108695222A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810270110.8

申请日：2018-03-29

申请人： TOTO株式会社

发明人： 上藤淳平 ,  佐佐木均 ,  山口康介 ,  前畑健吾 ,  吉井雄一 ,  糸山哲朗

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68785 ,  H05B3/283

摘要： 本发明提供一种静电吸盘，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面；电极层，设置于陶瓷电介体基板；基座板，支撑陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在基座板与第1主面之间，其特征为，加热器板具有：第1加热器元件，因电流的流动而发热；及第2加热器元件，因电流的流动而发热，当在垂直于第1主面的方向上观察时，第1加热器元件比第2加热器元件折曲更多，第1加热器元件具有位于第2加热器元件的间隙的部分。

公开(公告)号：CN108693409A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810263265.9

申请日：2018-03-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 杉田吉平 ,  南朋秀 ,  西尾哲

IPC分类号： G01R27/26

CPC分类号： G01R27/2605 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/2849 ,  G01R31/2865 ,  G01R31/2875 ,  G01R31/2881 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H05K1/0237 ,  H05K2201/10151

摘要： 本发明涉及静电电容测量用的测量器，能够对由环境引起的静电电容的测量值的变动进行修正。测量器具备基底基板、第一传感器、一个以上的第二传感器、以及电路基板。第一传感器具有沿着基底基板的边缘设置的第一电极。一个以上的第二传感器提供一个以上的第二电极，分别固定在基底基板上。电路基板搭载在基底基板上，与第一传感器及一个以上的第二传感器连接。电路基板构成为：对第一电极和一个以上的第二电极提供高频信号，根据第一电极中的电压振幅获取与静电电容对应的第一测量值，根据一个以上的第二电极中的电压振幅获取与静电电容对应的一个以上的第二测量值。测量器具有被固定在该测量器内并且面对一个以上的第二电极的一个以上的基准面。

公开(公告)号：CN108352354A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680067355.X

申请日：2016-06-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 小温德尔·格伦·博伊德 ,  维贾伊·D·帕克赫 ,  郭塘坊 ,  丁震文

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/56 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15

CPC分类号： H01L21/6833 ,  C03C17/00 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757

摘要： 一种制造静电卡盘的方法，包括抛光静电卡盘的陶瓷主体的表面，以产生抛光表面，并将陶瓷涂层沉积到所述陶瓷主体的所述抛光表面上，以产生经涂布的陶瓷主体。所述方法进一步包括在所述经涂布的陶瓷主体之上设置掩模，所述掩模包括多个椭圆形孔，并通过所述掩模的所述多个椭圆形孔沉积陶瓷材料，以在所述经涂布的陶瓷主体上形成多个椭圆形台面，其中所述多个椭圆形台面具有圆边。然后从所述经涂布的陶瓷主体移除所述掩模，并抛光所述多个椭圆形台面。

公开(公告)号：CN105027274B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201480003693.8

申请日：2014-03-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 布赖恩·韦斯特 ,  维贾伊·帕克赫 ,  罗伯特·海拉哈拉 ,  丹·戴永

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/6833 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H05K7/20

摘要： 本文提供一种用于基板处理系统中的基板支撑夹盘。在一些实施方式中，用于基板处理腔室中的基板支撑件可包括：静电夹盘，所述静电夹盘具有顶部基板支撑表面与底部表面；以及冷却环组件，所述冷却环组件具有中心开孔，所述冷却环组件设置于所述静电夹盘的底部表面的附近，所述冷却环组件包括：冷却部，所述冷却部具有热耦接至所述静电夹盘的底部表面的顶部表面，所述冷却部具有形成于所述冷却部的底部表面中的冷却通道；以及帽部，所述帽部耦接至所述冷却部的底部表面并且流体地密封形成于所述冷却部中的所述冷却通道。

公开(公告)号：CN107958837A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710952345.0

申请日：2017-10-13

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 竹林央史

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6833 ,  B32B15/04 ,  B32B37/10 ,  B32B37/144 ,  B32B38/1866 ,  B32B2037/0092 ,  B32B2038/0076 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  C04B35/565 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/76 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L2221/683

摘要： 本发明提供一种半导体制造装置用部件及其制法。半导体制造装置用部件的制法包括如下工序：(a)准备平板状的静电卡盘、支撑基板以及平板状的金属接合材的工序，所述静电卡盘为陶瓷制且具有晶片载置面，所述支撑基板包含复合材料且具有凹面，所述复合材料与所述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10-6/K以下；以及(b)在支撑基板的凹面和静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面之间夹入金属接合材，通过在金属接合材的固相线温度以下的温度对支撑基板和静电卡盘进行热压接合，从而使静电卡盘变形为具有与凹面相同的弯曲度的工序。