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公开(公告)号：CN111668149B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010142868.0
申请日：2020-03-04
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，即使在将多孔质部设置于气体导入路内的构造中，对吸附对象物也能够进行晶片温度均等性较高的温度控制。具体而言，具备：陶瓷电介体基板，具有第1主面、第2主面、穿通孔；基座板，支撑陶瓷电介体基板，具有连通于穿通孔的气体导入路；及多孔质部，设置于气体导入路，其特征为，多孔质部具有：多个疏松部分，具有多个孔；及紧密部分，具有比疏松部分的密度更高的密度，多个疏松部分分别在从基座板朝向陶瓷电介体基板的第1方向上延伸，紧密部分位于多个疏松部分的彼此之间，疏松部分具有设置在孔与孔之间的壁部，在与第1方向大致正交的第2方向上，壁部的尺寸的最小值比紧密部分的尺寸的最小值更小。
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公开(公告)号：CN114284198A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111122700.4
申请日：2021-09-24
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，静电吸盘具备陶瓷电介体基板、基座板、加热器部，其特征为，加热器部具备具有多个辅助区的第1加热器元件，多个辅助区具有第1辅助区，第1辅助区具有因电流的流动而发热的辅助加热器线和向辅助加热器线供电的第1、第2辅助供电部，第1辅助区具有位于第1辅助区的中央的中央区域和位于中央区域的外侧的外周区域，第1辅助供电部及第2辅助供电部的至少任意一个设置于中央区域。
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公开(公告)号：CN114284196A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111106966.X
申请日：2021-09-22
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，静电吸盘具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面和第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑陶瓷电介体基板；及加热器部，加热陶瓷电介体基板，其特征为，加热器部具有第1加热器元件，第1加热器元件具有：多个辅助区，周向上被分割；及多个冷却气体用孔，用于冷却设置于多个辅助区的处理对象物的冷却气体可通过，多个冷却气体用孔在周向上被配置，设置在垂直于第1主面的Z方向上并不与多个辅助区之间的周向边界发生重叠的位置。
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公开(公告)号：CN119230465A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410807503.3
申请日：2024-06-21
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明的静电吸盘具备：电介体基板；基座板，其为被接合于电介体基板的金属构件且形成有气孔；及通气插件，被配置在气孔的内部。通气插件具有：多孔质部，其为由具有通气性的多孔质的陶瓷所形成的部分；及致密部，其为由并不具有通气性的致密的陶瓷所形成的部分，从外周侧在整周的跨度上围住多孔质部。多孔质部与致密部通过烧结相互呈一体，而不是在中间隔着由陶瓷以外的材料所形成的接合材。
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公开(公告)号：CN115132635A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210240196.6
申请日：2022-03-10
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，具备陶瓷电介体基板及基座板，其特征为，陶瓷电介体基板具有：第1、第2主面；槽部，从第1主面向第2主面凹下；及多个冷却气体用孔，穿通槽部与第2主面之间，槽部具有第1、第2周向槽及第1、第2径向槽，多个冷却气体用孔具有：第1孔，当俯视观察时与第1径向槽发生重叠；及第2孔，当俯视观察时与第2径向槽发生重叠，基座板具有向第1孔及第2孔供给冷却气体的气体导入路，第1周向槽具有位于周向的一端侧的第1端部及位于另一端侧的第2端部，第2周向槽具有位于周向的一端侧的第3端部及位于另一端侧的第4端部，第3端部及第4端部分别在径向上并不与第1端部发生重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111668149A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010142868.0
申请日：2020-03-04
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，即使在将多孔质部设置于气体导入路内的构造中，对吸附对象物也能够进行晶片温度均等性较高的温度控制。具体而言，具备：陶瓷电介体基板，具有第1主面、第2主面、穿通孔；基座板，支撑陶瓷电介体基板，具有连通于穿通孔的气体导入路；及多孔质部，设置于气体导入路，其特征为，多孔质部具有：多个疏松部分，具有多个孔；及紧密部分，具有比疏松部分的密度更高的密度，多个疏松部分分别在从基座板朝向陶瓷电介体基板的第1方向上延伸，紧密部分位于多个疏松部分的彼此之间，疏松部分具有设置在孔与孔之间的壁部，在与第1方向大致正交的第2方向上，壁部的尺寸的最小值比紧密部分的尺寸的最小值更小。
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公开(公告)号：CN108604570A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009357.8
申请日：2017-03-13
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，放置处理对象物；基座板；及加热器板，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间，其特征为，加热器板具有：第1、第2支撑板，包含金属；第1、第2树脂层，设置在第1支撑板与第2支撑板之间；及第1、第2导电部，设置在第1树脂层与第2树脂层之间且在面内方向上离开，具有：加热器元件，因电流的流动而发热；及空间部，被在第1导电部的面内方向上的侧端部、第1树脂层、第2树脂层所划分，第1树脂层在第1导电部与第2导电部之间连接于第2树脂层。
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公开(公告)号：CN116895592A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310302697.7
申请日：2023-03-27
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够抑制温度控制变复杂，同时能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。静电吸盘具备陶瓷电介体基板、基座板及加热器部，加热器部具有第1、第2加热器元件，第1加热器元件具有包含第1区的多个区，第1区具有第1加热器线及第1、第2供电部，第1加热器线具有设置有第1突出部的第1延伸部和设置有第2突出部的第2延伸部，第1区具有以相邻而相对的方式配置有第1突出部与第2突出部的第1相对区域，第2加热器元件具有包含第2区的多个区，第2区具有第2加热器线及第3、第4供电部，第2区具有中央区域及外周区域，第1相对区域设置在与中央区域发生重叠的位置。
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公开(公告)号：CN116895590A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310289661.X
申请日：2023-03-23
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , H01J37/20
Abstract: 本发明的目的在于提供一种静电吸盘，其能够抑制冷媒流路的位置偏离的影响。提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板；及基座板，支撑陶瓷电介体基板，具有陶瓷电介体基板侧的上面和上面相反侧的下面，其特征为，基座板包含设置在上面与下面之间且冷媒可通过的连通路，连通路包含具有沿向第1方向的一对侧面的第1流路部，该第1方向是沿向冷媒的流向的方向，当沿着基座板与陶瓷电介体基板的积层方向上观察时，一对侧面中的一个侧面具有：多个凸部，在垂直于第1方向且从一对侧面中的另一个侧面朝向一个侧面的第2方向上呈凸状；及多个凹部，在第2方向的相反方向上呈凸状，多个凸部与多个凹部交替排列。
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公开(公告)号：CN114284197A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111108532.3
申请日：2021-09-22
Applicant: TOTO株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，静电吸盘具备陶瓷电介体基板、基座板、加热器部，其特征为，加热器部具有第1、第2加热器元件，第2加热器元件具有包含第1主区的多个主区，第1加热器元件具有多个辅助区，辅助区的数量多于主区的数量，第1主区具有：因电流的流动而发热的主加热器线；及向主加热器线供电的第1主供电部，多个辅助区具有与第1主区发生重叠的第1辅助区，第1辅助区具有：位于第1辅助区的中央的中央区域；及位于中央区域的外侧的外周区域，第1主供电部设置在与中央区域发生重叠的位置。
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