公开(公告)号：CN108807126A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810426752.2

申请日：2018-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·于 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  C-A·陈 ,  A·巴拉克利斯纳

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01J2237/3344 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01J37/32165

Abstract: 本公开内容涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。改变在基板组件内的中心电极和环形电极上的电压/电流分布促进等离子体在所述基板上的空间分布。所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到嵌入在所述基板支撑件中的不同于所述中心电极的位置处的环形电极。所述环形电极与所述中心电极间隔开并周向地环绕所述中心电极。所述方法还包括监视所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数并且基于所述监视的参数而调节所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者。

公开(公告)号：CN111902923B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201980020122.8

申请日：2019-02-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马骏 ,  C-A·陈

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种用于半导体处理腔室的基座，包括：第一主体，第一主体包括陶瓷材料，其中多个加热器元件封装在第一主体内；及第二主体，第二主体包括陶瓷材料，其中一个或多个连续弯曲的凹槽形成在第二主体的一个或多个表面中，且其中第一主体耦接于第二主体并且包围凹槽。

公开(公告)号：CN108292594A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680069461.1

申请日：2016-09-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·慕克吉 ,  K·S·伊姆 ,  D·帕德希 ,  K·M·赵 ,  K·A·范 ,  C-A·陈 ,  P·达舍

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32

Abstract: 描述了硬掩模和ARC层的单一前驱物沉积的方法。所得的膜是利用具有低碳含量的高密度氧化硅SiO2层封端的具有较高碳含量的SiOC层。所述方法可以包括：将第一沉积前驱物输送至基板，所述第一沉积前驱物包含SiOC前驱物和第一流速的含氧气体；使用等离子体激活沉积物质，由此在基板的已暴露表面上方沉积含SiOC的层。随后，将第二前驱物气体输送至含SiOC的层，所述第二沉积气体包含具有第二流速的不同或相同的SiOC前驱物和第二流速的含氧气体，并且使用等离子体激活沉积气体，所述第二沉积气体在硬掩模上方形成含SiO2的层，所述含SiO2的层具有非常低的碳。

公开(公告)号：CN112005342A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027478.4

申请日：2019-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄祖滨 ,  程睿 ,  C-A·陈 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: 提供一种用于沉积非晶硅材料的方法，并且所述方法包括：在与工艺腔室流体连通的等离子体单元内产生等离子体；和使所述等离子体流动穿过离子抑制器以产生含有反应性物种和中性物种的活化流体。所述活化流体不含离子或者含有比所述等离子体更低浓度的离子。所述方法进一步包括：使所述活化流体流入所述工艺腔室内的双通道喷头的第一入口；和使硅前驱物流入所述双通道喷头的第二入口。此后，所述方法包括：使所述活化流体和所述硅前驱物的混合物从所述双通道喷头流出；和在所述工艺腔室中设置的基板上形成非晶硅层。

公开(公告)号：CN111902923A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980020122.8

申请日：2019-02-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马骏 ,  C-A·陈

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种用于半导体处理腔室的基座，包括：第一主体，第一主体包括陶瓷材料，其中多个加热器元件封装在第一主体内；及第二主体，第二主体包括陶瓷材料，其中一个或多个连续弯曲的凹槽形成在第二主体的一个或多个表面中，且其中第一主体耦接于第二主体并且包围凹槽。