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公开(公告)号：CN112204706B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201980036655.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/311
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公开(公告)号：CN107667415B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201680030126.0
申请日：2016-04-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 本公开的实施例涉及在形成于光刻胶或硬掩模中的特征上方沉积保形有机材料，以减少临界尺寸及线边缘粗糙度。在各种实施例中，超保形碳基材料沉积在形成于高分辨率光刻胶中的特征上方。形成于光刻胶上方的保形有机层由此缩减特征的临界尺寸及线边缘粗糙度。
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公开(公告)号：CN113302717A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201980088876.7
申请日：2019-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蒋志钧 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·罗伊巴曼 , H·湖尻 , 韩新海 , D·帕德希 , C·Y·王 , 陈玥 , D·R·本杰明拉吉 , N·S·乔拉普尔 , V·N·T·恩古耶 , M·S·方 , J·A·奥拉夫 , T·C·林
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种形成具有减少的缺陷的膜堆叠的方法，并且所述方法包括：将基板定位在处理腔室内的基板支撑件上；以及依序沉积多晶硅层和氧化硅层以在基板上产生膜堆叠。所述方法还包括：在处理腔室内生成沉积等离子体的同时向等离子体分布调制器供应大于5安培(A)的电流；在沉积多晶硅层和氧化硅层的同时将基板暴露于沉积等离子体；以及在沉积多晶硅层和氧化硅层的同时，将处理腔室维持在大于2托到约100托的压力下。
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公开(公告)号：CN113166932A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980081255.6
申请日：2019-10-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/455
Abstract: 提供用于沉积硬掩模材料和膜的方法，并且更具体地，提供用于沉积磷掺杂的氮化硅膜的方法。在处理腔室中在基板上沉积材料的方法，包括：在等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)工艺期间，在RF功率的存在下将基板暴露于沉积气体以在基板上沉积磷掺杂的氮化硅膜。沉积气体含有一种或多种硅前驱物、一种或多种氮前驱物、一种或多种磷前驱物、以及一种或多种载气。磷掺杂的氮化硅膜的磷浓度在约0.1原子百分比(原子％)至约10原子％的范围内。
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公开(公告)号：CN113056807A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN112513321A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980048633.0
申请日：2019-08-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/458 , H01L21/02
Abstract: 本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。
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公开(公告)号：CN111344834A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880072836.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本文所描述的实施方式涉及形成氮化硅膜的方法。在一个实施方式中，使包括含硅气体和第一含氮气体的第一工艺气体组流入工艺腔室中。通过以第一频率和第一功率水平将第一射频功率施加到所述第一工艺气体组来沉积初始化层。中断所述第一工艺气体组的所述第一含氮气体的第一流动，并且使包括所述含硅气体、第二含氮气体和含氢气体的第二工艺气体组流入所述工艺腔室中。通过以高于所述第一频率的第二频率和高于所述第一功率水平的第二功率水平将第二RF功率施加到所述第二工艺气体组来在所述初始化层上沉积体氮化硅层。
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公开(公告)号：CN110140193A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780082344.3
申请日：2017-12-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实现方式提供用于在处理腔室中处理基板的方法。在一个实现方式中，所述方法包括：(a)在第一腔室压力下使用第一高频RF功率在第一基板上沉积介电层；(b)在第二腔室压力下在所述第一基板之后的N个基板上顺序地沉积介电层，其中N是5至10的整数，并且其中沉积N个基板中的每个基板包括使用第二高频RF功率，所述第二高频RF功率具有比所述第一高频RF功率的功率密度低约0.21W/cm2至约0.35W/cm2的功率密度；(c)在不存在基板的情况下执行腔室清洁工艺；以及(d)重复(a)至(c)。
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公开(公告)号：CN107408491A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680011676.8
申请日：2016-02-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。
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公开(公告)号：CN102884610A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023388.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·R·杜鲍斯 , M·A·福多尔 , 周建华 , A·班塞尔 , M·阿优伯 , S·沙克 , P·赖利 , D·帕德希 , T·诺瓦克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6719 , C23C16/46 , C23C16/5096 , H01J37/32495 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32715
Abstract: 本发明提供用于等离子体处理衬底的设备。所述设备包括处理腔室、设于处理腔室内的衬底支撑件、设于处理腔室内且在衬底支撑件下方的屏蔽构件、以及耦合至处理腔室的盖组件。所述盖组件包括耦合至功率源的导电气体分配器、以及电极，所述电极通过电气绝缘体与导电气体分配器和腔室主体隔开。电极还耦合至电功率源。衬底支撑件制作成具有容许偏离平行甚微的刚性。屏蔽构件热屏蔽腔室主体下部中的衬底传送开口。泵送气室位于衬底支撑件处理位置下方，且从所述衬底支撑件处理位置隔开。
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