公开(公告)号：CN113795908A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080033975.8

申请日：2020-02-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·古普塔 ,  程睿 ,  S·古格吉拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  D·N·凯德拉亚 ,  黄祖滨

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了用于处理基板的实施例，并且实施例包括修整光刻胶的方法，以提供具有平滑侧壁表面的光刻胶轮廓并且调整图案化特征和/或后续沉积的介电层的临界尺寸。所述方法能够包括：在基板上沉积牺牲结构层，在牺牲结构层上沉积光刻胶，以及图案化光刻胶以在牺牲结构层上产生粗略光刻胶轮廓。所述方法还包括：用等离子体修整光刻胶以产生覆盖牺牲结构层的第一部分的精修的光刻胶轮廓，同时暴露牺牲结构层的第二部分；蚀刻牺牲结构层的第二部分以形成设置在基板上的图案化特征；以及在图案化特征上沉积介电层。

公开(公告)号：CN111226316A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201880066334.5

申请日：2018-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  D·帕德希 ,  E-X·平 ,  S·古格吉拉

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 本文所描述的实施方式涉及用于制造半导体器件(诸如存储器器件等等)的方法和材料。在一个实施方式中，存储器层堆叠包括具有不同的蚀刻速率的材料，其中选择性地去除一种材料以在器件结构中形成气隙。在另一个实施方式中，存储器层堆叠的含硅材料被掺杂或制造为硅化物材料。在另一个实施方式中，氮化硅材料用作在存储器层堆叠的含氧化物层和含硅层之间的界面层。

公开(公告)号：CN107408491A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011676.8

申请日：2016-02-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕德希 ,  S·古格吉拉 ,  A·T·迪莫斯 ,  B·库玛 ,  任河 ,  P·达舍

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。

公开(公告)号：CN111226316B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201880066334.5

申请日：2018-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  D·帕德希 ,  E-X·平 ,  S·古格吉拉

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 本文所描述的实施方式涉及用于制造半导体器件(诸如存储器器件等等)的方法和材料。在一个实施方式中，存储器层堆叠包括具有不同的蚀刻速率的材料，其中选择性地去除一种材料以在器件结构中形成气隙。在另一个实施方式中，存储器层堆叠的含硅材料被掺杂或制造为硅化物材料。在另一个实施方式中，氮化硅材料用作在存储器层堆叠的含氧化物层和含硅层之间的界面层。

公开(公告)号：CN107408491B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201680011676.8

申请日：2016-02-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·帕德希 ,  S·古格吉拉 ,  A·T·迪莫斯 ,  B·库玛 ,  任河 ,  P·达舍

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 描述一种在电介质层中形成特征的方法。通孔、沟槽或双镶嵌结构可以在沉积共形氮化铝层前存在于电介质层中。共形氮化铝层被配置成用作阻挡层以便防止跨阻挡层的扩散。形成氮化铝层的方法包括交替地暴露于两个前驱物处理(如ALD)以便实现高共形度。氮化铝阻挡层的高共形度使得厚度减小和后续的填隙金属层的有效导电率增大。