公开(公告)号：CN117751425A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280051784.3

申请日：2022-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克 ,  越泽武仁 ,  戚波

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/52 ,  C23C16/38 ,  H01L21/033

Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于形成含硅和硼的膜的工艺，所述含硅和硼的膜用于在例如间隔件限定的图案化应用中使用。在实施例中，提供了一种间隔件限定的图案化工艺。所述工艺包括将基板设置在处理腔室的处理空间中，所述基板具有形成在基板上的图案化特征，以及使第一工艺气体流入处理空间中，第一工艺气体包含含硅物质，所述含硅物质具有比SiHU更高的分子量。所述工艺进一步包括使第二工艺气体流入处理空间中，第二工艺气体包含含硼物质，以及在沉积条件下在图案化特征上沉积保形膜，所述保形膜包含硅和硼。

公开(公告)号：CN117038433A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311149800.5

申请日：2018-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  P·曼纳

IPC: H01L21/02

Abstract: 描述了用于高深宽比特征的间隙填充的方法。将第一膜沉积在特征的底部和上部侧壁上。从所述特征的所述侧壁蚀刻所述第一膜，并且处理在所述特征的所述底壁中的所述第一膜以形成第二膜。重复所述沉积工艺、所述蚀刻工艺和所述处理工艺以填充所述特征。

公开(公告)号：CN116917542A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280018544.3

申请日：2022-02-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安东·V·巴里什尼科夫 ,  阿尤特·阿尤丁 ,  黄祖滨 ,  程睿 ,  杨毅 ,  迪瓦卡尔·科德拉雅 ,  文卡塔纳拉亚纳•尚卡拉穆尔提 ,  克里希纳·尼塔拉 ,  卡希克·贾纳基拉曼

IPC: C23C16/52

Abstract: 提供了用于使用机器学习控制沉积膜的浓度轮廓的方法及系统。将与在用于基板的沉积工艺期间待在基板表面上沉积的膜的目标浓度轮廓相关联的数据作为输入提供到经训练的机器学习模型。获得经训练的机器学习模型的一个或多个输出。由一个或多个输出决定识别沉积工艺设置的一个或多个集合的工艺配方数据。针对沉积工艺设置的每个集合，亦决定了沉积工艺设置的相应集合对应于待在基板上沉积的膜的目标浓度轮廓的信赖水平的指示。回应于识别具有满足信赖准则水平的信赖水平的沉积工艺设置的相应集合，根据沉积工艺设置的相应集合执行沉积工艺的一个或多个操作。

公开(公告)号：CN109003880B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810570251.1

申请日：2018-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  A·B·玛里克 ,  P·曼纳

IPC: H01L21/02

Abstract: 描述了用于高深宽比特征的间隙填充的方法。将第一膜沉积在特征的底部和上部侧壁上。从所述特征的所述侧壁蚀刻所述第一膜，并且处理在所述特征的所述底壁中的所述第一膜以形成第二膜。重复所述沉积工艺、所述蚀刻工艺和所述处理工艺以填充所述特征。

公开(公告)号：CN108807264B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810410364.5

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏 ,  段子青 ,  程睿 ,  江施施

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

公开(公告)号：CN110709967B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880036516.8

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  Y·杨 ,  陈一宏 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN109643639B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201780052875.8

申请日：2017-09-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  段子青 ,  M·嘉德瑞 ,  P·P·杰哈 ,  A·B·玛里克 ,  D·帕德希

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基板的上表面而在所述基板上形成图案化特征；在所述图案化特征和所述基板的暴露上表面上保形地沉积预定厚度的硼掺杂的非晶硅层；以及使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面选择性地去除所述硼掺杂的非晶硅层，以提供填充在由所述硼掺杂的非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN116313773A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310272601.7

申请日：2017-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  P·曼纳 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/308 ,  C23C16/50 ,  C23C16/06 ,  C23C16/28 ,  C23C16/32

Abstract: 描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。

公开(公告)号：CN108475640B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201780006952.6

申请日：2017-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 托马斯·琼万·权 ,  程睿 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  平尔萱 ,  安在洙

IPC: H01L21/3213 ,  H10B43/27 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。

公开(公告)号：CN114830312A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080086799.4

申请日：2020-12-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 大卫·W·格罗歇尔 ,  迈克尔·R·赖斯 ,  刚·格兰特·彭 ,  程睿 ,  黄祖滨 ,  王涵 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  迪瓦卡尔·科德拉雅 ,  保罗·L·布里尔哈特 ,  阿卜杜勒·阿齐兹·卡哈

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

Abstract: 本文提供用于腔室部件(腔室部件用于在工艺腔室中使用，腔室部件诸如表面成形的或纹理化的腔室部件)的表面成形和纹理化的方法和装置，和使用所述腔室部件的方法。在某些实施方式中，方法包括使用一个或多个传感器测量参考基板或被加热的基座的参数；和基于所测量的参数物理地修改腔室部件的表面。