公开(公告)号：CN112996950B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980072236.7

申请日：2019-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  K·莱斯彻基什 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 本文所述的实施例涉及可使用可操作以维持超大气压力(例如，大于大气压力的压力)的腔室来执行的无缝间隙填充与接缝愈合的方法。一个实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中并将基板的一个或多个特征在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。另一实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中。一个或多个特征中的每一者具有材料的接缝。材料的接缝在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。

公开(公告)号：CN116978862A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311135956.8

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏 ,  段子青 ,  程睿 ,  江施施

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

公开(公告)号：CN110476239B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201880021521.1

申请日：2018-04-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  江施施

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

Abstract: 用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD来形成可流动膜；以反应性退火将可流动膜退火以形成经退火的膜；以及将可流动膜或经退火的膜硬化以固化此膜。可使用更高级硅烷与等离子体来形成可流动膜。反应性退火可使用甲硅烷或更高级硅烷。UV硬化或其他硬化可用于固化可流动膜或经退火的膜。

公开(公告)号：CN112514051A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980049850.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·曼纳 ,  B·齐 ,  A·玛里克 ,  程睿 ,  T·北岛 ,  H·S·怀特塞尔 ,  H·王

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11524

Abstract: 描述了蚀刻膜堆叠以形成具有均匀宽度的间隙的方法。通过硬掩模蚀刻膜堆叠。在间隙中沉积保形的衬垫。衬垫的底部被移除。相对于衬垫选择性地蚀刻膜堆叠。移除衬垫。方法可被重复到预定深度。

公开(公告)号：CN110945642B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880037482.4

申请日：2018-06-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巫勇 ,  陈一宏 ,  江施施 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了用于以无缝钨填充物来填充基板特征的方法。所述方法包括沉积钨膜、将钨膜氧化成氧化钨柱、将氧化钨膜还原成无缝钨间隙填充物，且可选地在钨间隙填充物上沉积额外的钨。

公开(公告)号：CN110431660B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201880016713.3

申请日：2018-03-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  江施施 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了用于用非晶硅(a‑Si)膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法，所述方法涉及预处理基板的表面以将下面的羟基封端的硅(Si‑OH)或氢封端的硅(Si‑H)表面改性为氧氮化物封端的硅(Si‑ON)或氮化物封端的硅(Si‑N)并增强后续的a‑Si沉积。首先，提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后，预处理所述基板的所述表面来增强所述基板的所述表面，以供进行随后的非晶硅的可流动沉积。然后，执行可流动沉积工艺以在所述基板的所述表面之上沉积可流动硅层。本文所述的方法一般通过共形硅沉积和可流动硅沉积工艺改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现对特征之间的无缝间隙填充。

公开(公告)号：CN110678973B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880035089.1

申请日：2018-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  江施施 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于干式剥除沉积在半导体基板上的碳化硼层的方法。在一个实施方案中，该方法包括：将具有碳化硼层的基板装载到压力容器中；将基板暴露于包括氧化剂的处理气体，所述氧化剂的压力在约500托与60巴之间；将压力容器加热到大于处理气体的冷凝点的温度；和从压力容器去除处理气体与碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。

公开(公告)号：CN108807264B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810410364.5

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏 ,  段子青 ,  程睿 ,  江施施

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

公开(公告)号：CN108807264A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810410364.5

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  陈一宏 ,  段子青 ,  程睿 ,  江施施

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838

Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。

公开(公告)号：CN113966412B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202080043118.6

申请日：2020-06-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40

Abstract: 公开了用于以低沉积速率沉积膜的PECVD方法，包括间歇性地活化等离子体。能够使用至少聚硅烷前驱物和等离子体气体以沉积可流动膜。公开的工艺的沉积速率可以小于#imgabs0#