公开(公告)号：CN112514051A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980049850.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·曼纳 ,  B·齐 ,  A·玛里克 ,  程睿 ,  T·北岛 ,  H·S·怀特塞尔 ,  H·王

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11524

Abstract: 描述了蚀刻膜堆叠以形成具有均匀宽度的间隙的方法。通过硬掩模蚀刻膜堆叠。在间隙中沉积保形的衬垫。衬垫的底部被移除。相对于衬垫选择性地蚀刻膜堆叠。移除衬垫。方法可被重复到预定深度。

公开(公告)号：CN114450773A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080068046.0

申请日：2020-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·齐 ,  王慧圆 ,  Y·饶 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 说明一种在半导体装置中用于蚀刻方法的非共形、高选择性衬垫。一种方法包括在基板上形成膜堆叠；蚀刻膜堆叠以形成开口；在开口中沉积非共形衬垫；从开口的底部蚀刻非共形衬垫；以及相对于非共形衬垫选择性蚀刻膜堆叠以形成逻辑或存储器孔洞。非共形衬垫包括硼、碳或氮中的一者或多者。

公开(公告)号：CN113874982A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080038432.5

申请日：2020-04-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·齐 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/24 ,  C23C16/34 ,  C23C16/509 ,  C23C16/455

Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及处理基板的方法，包括将基板放置于处理腔室的处理容积中。所述基板包含具有多个特征的图案化表面。由穿过多层堆叠形成的一个或更多个开口来界定所述多个特征的各个特征，且所述多层堆叠包含含硫属元素材料。所述方法进一步包含使第一处理气体的脉冲流动进入处理容积。此处，第一处理气体包含硅前驱物和氮前驱物。所述方法进一步包含点燃并维持第一处理气体的等离子体。所述方法进一步包含将第一氮化硅层沉积至所述基板的所述图案化表面上。此外，所述方法包含在第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层。