公开(公告)号：CN117441224A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202280040674.7

申请日：2022-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括在基板上沉积含硅材料。在第一时间段之后，所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含锗前驱物。所述方法可以包括使含硅前驱物和含锗前驱物在大于或约400℃的温度下进行热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅和锗的层。

公开(公告)号：CN116348993A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180055191.X

申请日：2021-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  T·越泽 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/321

Abstract: 本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。

公开(公告)号：CN116368598A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180062366.X

申请日：2021-07-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  R·库斯特拉 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  J·D·平松

IPC: H01L21/033

Abstract: 本技术的示例包括用于在基板上形成含硼材料的半导体处理方法。示例性处理方法可包括：将包括含硼前驱物的沉积前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。可在半导体处理腔室的处理区域内，从沉积前驱物形成等离子体。所述方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料，其中基板的特征在于：低于或约50℃的温度。沉积态含硼材料可以特征在于：小于或约2nm的表面粗糙度，以及小于或约‑500MPa的应力水平。在一些实施例中，含硼材料的层可用作硬模。

公开(公告)号：CN116325077A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180063959.8

申请日：2021-10-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开了用于选择性沉积含锗膜的方法。本公开的一些实施例提供在裸硅上沉积而在氧化硅表面上几乎不沉积或不沉积。本公开的一些实施例提供在沟槽侧壁上的共形膜。本公开的一些实施例提供不具有缝隙或空洞的优越间隙填充。

公开(公告)号：CN116710594A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180090595.2

申请日：2021-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: C23C16/24

Abstract: 描述了在基板上沉积硅锗膜的方法。所述方法包括将基板暴露于硅前驱物和锗前驱物，以形成共形硅锗膜。所述基板包括至少一个膜叠层和至少一个特征，所述膜叠层包括硅和硅锗的交替层。硅锗膜具有大于50％的共形度。

公开(公告)号：CN116648776A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180082154.8

申请日：2021-12-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  越泽武仁 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311

Abstract: 公开了用于形成包括氧化锗的无缺陷缝隙填充材料的方法。在一些实施例中，通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物与氧化剂来沉积缝隙填充材料。锗烷前驱物可间歇地流动。基板还可暴露于第二氧化剂以增加缝隙填充材料内氧的相对浓度。

公开(公告)号：CN116348990A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180062270.3

申请日：2021-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  R·库斯特拉 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  J·D·平松

IPC: H01L21/033

Abstract: 本技术的示例包括半导体处理方法，该方法在基板处理腔室的基板处理区域中提供基板，其中基板维持在低于或约50℃的温度。可将惰性前驱物和含烃前驱物流入基板处理腔室的基板处理区域内，其中惰性前驱物对含烃前驱物的流速比可为大于或约10:1。可从惰性前驱物和含烃前驱物产生等离子体，并且可由等离子体在基板上沉积含碳材料。含碳材料可包括类钻石碳，并且可具有大于或约60％的具有sp3杂化键的碳原子。

公开(公告)号：CN116568859A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082876.3

申请日：2021-12-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  越泽武仁 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: C23C16/40

Abstract: 公开了形成包括氧化锗的涂覆膜的方法。在一些实施例中，所述膜对于基板的表面上的特征是超保形的。通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物和氧化剂来沉积所述膜。锗烷前驱物可间歇地流动。基板也可暴露于第二氧化剂以增加超保形膜内氧的相对浓度。

公开(公告)号：CN114450773A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080068046.0

申请日：2020-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·齐 ,  王慧圆 ,  Y·饶 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 说明一种在半导体装置中用于蚀刻方法的非共形、高选择性衬垫。一种方法包括在基板上形成膜堆叠；蚀刻膜堆叠以形成开口；在开口中沉积非共形衬垫；从开口的底部蚀刻非共形衬垫；以及相对于非共形衬垫选择性蚀刻膜堆叠以形成逻辑或存储器孔洞。非共形衬垫包括硼、碳或氮中的一者或多者。