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公开(公告)号：CN110998818A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051161.X
申请日：2018-07-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本技术的实施例可包括一种蚀刻方法。该方法可包括在腔室的第一部分中混合等离子体流出物与气体以形成第一混合物。该方法也可包括在腔室的第二部分中使第一混合物流到基板。第一部分和第二部分可包括镀镍材料。该方法可进一步包括使第一混合物与基板反应以相对于第二层选择性蚀刻第一层。此外，该方法可包括形成第二混合物，该第二混合物包括来自第一混合物与基板反应的产物。
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公开(公告)号：CN110828346A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911127078.9
申请日：2015-04-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/56
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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公开(公告)号：CN105580118B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201480050763.5
申请日：2014-07-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。
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公开(公告)号：CN104838479B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201380048686.5
申请日：2013-08-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 兹描述蚀刻图案化异质结构上曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳材料的方法，该方法包括由含氟前驱物和含氧前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在基板处理区域该等离子体流出物与含‑硅‑氮‑和‑碳材料的曝露区域反应。该等离子体流出物与该图案化异质结构反应，以选择性地从该曝露的含‑硅‑氮‑和‑碳材料区域去除含‑硅‑氮‑和‑碳材料，同时非常缓慢地去除选定的其他曝露材料。该含‑硅‑氮‑和‑碳材料的选择性部分是由位于远程等离子体和基板处理区域之间的离子抑制元件的存在所致。该离子抑制元件控制到达基板的离子性带电物种的数量。可以使用该方法来以比曝露的氧化硅或曝露的氮化硅更快的速率选择性地去除含‑硅‑氮‑和‑碳材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103907182B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201280051888.0
申请日：2012-09-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 在此描述一种在半导体基板中蚀刻凹部的方法。该方法可包含：在基板的沟槽中形成介电衬垫层，其中该衬垫层具有第一密度。该方法也可包含：至少部分位在该沟槽中于该衬垫层上沉积第二介电层。该第二介电层在沉积后最初为可流动，并且有第二密度，该第二密度低于该衬垫的第一密度。该方法可进一步包括：将该基板暴露至干式蚀刻剂，其中该蚀刻剂移除该第一衬垫层与该第二介电层的一部分而形成凹部，其中该干式蚀刻剂包括含氟化合物与分子氢，且其中移除该第一介电衬垫层与移除该第二介电层的蚀刻速率比为约1:1.2至约1:1。
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公开(公告)号：CN104641455A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048351.3
申请日：2013-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32357
Abstract: 描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法，且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域，在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的SiconiTM工艺为高温时，从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基板表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。
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公开(公告)号：CN102844848A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180018779.4
申请日：2011-02-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/76837
Abstract: 描述了用以由无碳的硅与氮的前驱物与自由基-氮的前驱物形成含有硅与氮的共形介电层(例如，硅-氮-氢(Si-N-H)膜)的方法、材料以及系统。无碳的硅与氮的前驱物主要藉由接触自由基-氮的前驱物而激发。因为硅与氮的膜在无碳情况下形成，因此可在较少孔形成以及较低体积收缩率下完成膜至硬化的氧化硅的转化。可将经沉积的含硅与氮的膜完全或部分转化为氧化硅，所述氧化硅容许共形介电层的光学特性成为可选择的。可在低温下进行含硅与氮的薄膜的沉积，以在基板沟槽中形成衬垫层。已发现低温衬垫层来增进湿润特性，并且所述低温衬垫层容许可流动的膜更完整地填充沟槽。
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公开(公告)号：CN102714156A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080062197.1
申请日：2010-12-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01J37/32357 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/0234
Abstract: 本案描述用以形成介电层的方法。所述方法包含混合含硅前驱物及等离子体流出物的步骤，以及在基板上沉积含硅及氮的层的步骤。通过在用来沉积所述含硅及氮的层的同一基板处理区域内在含臭氧气氛中进行固化，使所述含硅及氮的层转化成含硅及氧的层。可在所述含硅及氧的层上沉积另一含硅及氮的层，并且所述层堆叠可在臭氧中再次固化，皆无需从所述基板处理区域中移除所述基板。待完成整数倍的沉积-固化循环之后，可在含氧环境中在较高温度下退火以进行所述含硅及氧的层堆叠的转化。
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公开(公告)号：CN102687252A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059994.4
申请日：2010-12-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01J37/32357 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 本发明描述形成介电层的方法。本方法可包括以下步骤：混合含硅前驱物与氮自由基前驱物，以及沉积介电层至基板上。氮自由基前驱物在远端等离子体中藉由将氢(H2)及氮(N2)流动至等离子体中以便允许调整氮/氢比例所形成。介电层起初为含硅及氮层，所述含硅及氮层可藉由在含氧环境中固化和/或退火薄膜而转化为含硅及氧层。
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