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公开(公告)号：CN114144863A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080044321.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。
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公开(公告)号：CN110249406A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009192.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN108118312A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711216053.7
申请日：2017-11-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , C23C16/458 , C23C16/54 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32862 , C23C16/50 , H01J37/32431 , H01J37/32798
Abstract: 公开了用于可流动式CVD的双远程等离子体源的集成。本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中，设备是包括第一RPS和第二RPS的处理腔室，第一RPS被耦接到处理腔室的盖，第二RPS被耦接到处理腔室的侧壁。第一RPS用于将沉积自由基传递到处理腔室中的处理区域中，并且第二RPS用于将清洁自由基传递到处理区域中。处理腔室还包括自由基传递环，所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间，用于将清洁自由基从第二RPS传递到处理区域中。具有用于沉积和清洁的单独RPS以及使用单独传递通道将自由基从所述RPS引入到处理区域中使RPS上的交叉污染和循环变化最小化，从而导致改进的沉积速率漂移和颗粒性能。
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公开(公告)号：CN105308211B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201480032438.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/45565
Abstract: 在一个实施例中，用于沉积腔室的扩散器包括板和多个气体通道，所述板具有数个边缘区域、数个角落区域和中央区域，所述多个气体通道包括孔洞，所述多个气体通道形成在所述板的上游侧与下游侧之间，其中，在所述板的角落区域或边缘区域中的一个或多个中的孔洞的长度或直径中的一项或多项与在所述板的中央区域中的孔洞的对应长度或对应直径不同。
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公开(公告)号：CN104508180A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380037798.0
申请日：2013-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , B24C1/00
Abstract: 本发明一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。一粗糙化的基板支撑件减少在腔体内的电弧且亦提供均匀沉积于基板上。粗糙化可以两个步骤执行。于一第一步骤中，基板支撑件是进行喷珠以初步地粗糙化表面。接着，粗糙化的表面是以较细的磨粒进行喷珠，以产生一具有介于约707微英寸及约837微英寸间的表面粗糙度的基板支撑件。在表面粗糙化之后，基板支撑件进行阳极处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103038868A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037215.5
申请日：2011-07-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 在此描述空洞体积比例降低的间隙填充氧化硅层的形成。该沉积涉及在缺少氧较可流动的间隙填充层之前形成富含氧较不可流动的衬垫层。然而，该衬垫层在与间隙填充层相同的腔室内沉积。衬垫层与间隙填充层二者可通过使自由基成份与未激发的含硅前体（即不直接通过施加等离子体功率而被激发）组合而形成。衬垫层比间隙填充层具更多的氧含量并且更加共形地沉积。间隙填充层的沉积速率可藉由衬垫层的存在而增加。间隙填充层可含有硅、氧与氮，并且该间隙填充层在高温下转化以含有更多氧与更少氮。间隙填充衬垫的存在提供了间隙填充层下方的氧源，以增大在转化期间引入的气相氧。
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公开(公告)号：CN114737169B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210426147.1
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN111485226A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911423044.4
申请日：2013-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , H01L21/687 , B24C1/00 , B24C1/06
Abstract: 本发明一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。一粗糙化的基板支撑件减少在腔体内的电弧且亦提供均匀沉积于基板上。粗糙化可以两个步骤执行。于一第一步骤中，基板支撑件是进行喷珠以初步地粗糙化表面。接着，粗糙化的表面是以较细的磨粒进行喷珠，以产生一具有介于约707微英寸及约837微英寸间的表面粗糙度的基板支撑件。在表面粗糙化之后，基板支撑件进行阳极处理。
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公开(公告)号：CN102844848A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180018779.4
申请日：2011-02-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/76837
Abstract: 描述了用以由无碳的硅与氮的前驱物与自由基-氮的前驱物形成含有硅与氮的共形介电层(例如，硅-氮-氢(Si-N-H)膜)的方法、材料以及系统。无碳的硅与氮的前驱物主要藉由接触自由基-氮的前驱物而激发。因为硅与氮的膜在无碳情况下形成，因此可在较少孔形成以及较低体积收缩率下完成膜至硬化的氧化硅的转化。可将经沉积的含硅与氮的膜完全或部分转化为氧化硅，所述氧化硅容许共形介电层的光学特性成为可选择的。可在低温下进行含硅与氮的薄膜的沉积，以在基板沟槽中形成衬垫层。已发现低温衬垫层来增进湿润特性，并且所述低温衬垫层容许可流动的膜更完整地填充沟槽。
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公开(公告)号：CN105308211A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480032438.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/45565
Abstract: 在一个实施例中，用于沉积腔室的扩散器包括板和多个气体通道，所述板具有数个边缘区域、数个角落区域和中央区域，所述多个气体通道包括孔洞，所述多个气体通道形成在所述板的上游侧与下游侧之间，其中，在所述板的角落区域或边缘区域中的一个或多个中的孔洞的长度或直径中的一项或多项与在所述板的中央区域中的孔洞的对应长度或对应直径不同。
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