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公开(公告)号：CN114144863A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080044321.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。
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公开(公告)号：CN110249406A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009192.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN103443909A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015166.X
申请日：2012-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31122 , H01L21/0206 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的实施例大致涉及干式剥离硼-碳膜的方法。在一个实施例中，利用氢与氧的交替等离子体来移除硼-碳膜。在另一实施例中，利用共同流动的氧与氢等离子体来移除含硼-碳的膜。除了上述氧等离子体的任一个以外可利用一氧化二氮等离子体，或者可利用一氧化二氮等离子体来取代上述氧等离子体的任一个。在另一实施例中，利用自水蒸气产生的等离子体来移除硼-碳膜。硼-碳移除工艺还可包括在硼-碳膜的移除之前的视情况的聚合物移除工艺。聚合物移除工艺包括将硼-碳膜暴露至NF3，以自硼-碳膜的表面移除在基板蚀刻工艺期间产生的任何碳基聚合物。
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公开(公告)号：CN102934209A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027816.8
申请日：2011-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02115 , C23C16/26 , H01L21/02274 , H01L21/31144
Abstract: 本文提供一种在基板上形成非晶碳层的方法，基板位于基板处理腔室中，所述方法包括：将烃源引入处理腔室；单独或与氦、氢、氮以及上述气体的组合相结合地将氩引入处理腔室，其中氩具有的体积流率与烃源的体积流率的比例为约10:1至约20:1；在约2托耳至10托耳的低得多的压力下，在处理腔室中产生等离子体；及在基板上形成共形的非晶碳层。
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公开(公告)号：CN102915925A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210396144.4
申请日：2007-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC: H01L21/314 , H01L21/311 , C23C16/26
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114737169B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210426147.1
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN101480110B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780024531.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN101473062B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780023174.8
申请日：2007-06-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , C·陈 , S·拉蒂 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , D·R·威蒂 , H·姆塞德
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0254 , C23C16/26 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件以及多种制造所述物件的方法。在一个实施例中，本发明提供一种涂覆物件的铝表面的方法，其中所述物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供处理腔室；置放所述物件至所述处理腔室内；使第一气体流入所述处理腔室，其中所述第一气体包含碳源；使第二气体流入所述处理腔室，其中所述第二气体包含氮源；在所述处理腔室内形成等离子体；以及在所述铝表面上沉积涂覆材料。在一个实施例中，涂覆材料包括含不定形碳氮的层。在一个实施例中，所述物件包含喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN113196462A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083347.8
申请日：2019-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/324
Abstract: 在此描述的实施例总体上涉及在沟槽之上形成可流动低k介电层的方法，所述沟槽形成于图案化基板的表面上。所述方法包括：将含硅和碳前驱物传递至基板处理腔室的基板处理区域中达第一时间段和第二时间段；使含氧前驱物流进等离子体源的远程等离子体区域中，同时点燃远程等离子体以形成自由基氧前驱物；在经过所述第一时间段之后且于所述第二时间段期间，使所述自由基氧前驱物以第二流速流进所述基板处理区域；以及在经过所述第二时间段之后，将所述含硅和碳介电前驱物暴露至电磁辐射达第三时间段。
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公开(公告)号：CN113169039A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079269.4
申请日：2019-11-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311
Abstract: 本文描述的实施例提供一种通过交联末端硅烷醇基团来形成具有共价Si‑O‑Si键的含硅和氧层的方法。所述方法包括将基板定位在腔室中。所述基板具有一个或多个沟槽，所述一个或多个沟槽包括10纳米(nm)或更小的宽度及2:1或更大的深宽比。所述深宽比是由所述一个或多个沟槽的深度与宽度之比界定。含硅和氧层配置在所述一个或多个沟槽之上。所述含硅和氧层具有末端硅烷醇基团。将所述基板加热，并且将所述含硅和氧层暴露于遍及工艺空间分布的含氨或胺基的前驱物。
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