公开(公告)号：CN116324021A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180064959.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·V·瓦茨 ,  B·K·安 ,  S·李 ,  H·俞

IPC: C23C16/34

Abstract: 示例处理方法可包括形成含硅和氮前驱物的第一沉积等离子体。方法可包括利用第一沉积等离子体在半导体基板上沉积氮化硅材料的第一部分。可形成含氦和氮前驱物的第一处理等离子体以利用第一处理等离子体来处理氮化硅材料的第一部分。第二沉积等离子体可沉积氮化硅材料的第二部分，且第二处理等离子体可处理氮化硅材料的第二部分。第一处理等离子体中的氦气对氮气的流率比可低于第二处理等离子体中的He/N2流率比。来自形成第一处理等离子体的等离子体功率源的第一功率水平可低于形成第二处理等离子体的第二功率水平。

公开(公告)号：CN113169039A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980079269.4

申请日：2019-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·J·西蒙斯 ,  B·K·安 ,  梁璟梅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/311

Abstract: 本文描述的实施例提供一种通过交联末端硅烷醇基团来形成具有共价Si‑O‑Si键的含硅和氧层的方法。所述方法包括将基板定位在腔室中。所述基板具有一个或多个沟槽，所述一个或多个沟槽包括10纳米(nm)或更小的宽度及2:1或更大的深宽比。所述深宽比是由所述一个或多个沟槽的深度与宽度之比界定。含硅和氧层配置在所述一个或多个沟槽之上。所述含硅和氧层具有末端硅烷醇基团。将所述基板加热，并且将所述含硅和氧层暴露于遍及工艺空间分布的含氨或胺基的前驱物。