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公开(公告)号：CN114424325A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080067068.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , H·俞 , 胡可嵩 , K·恩斯洛 , 尾方正树 , 王文佼 , C·Y·王 , 杨传曦 , J·马赫 , P·L·梁 , Q·E·中 , A·杰恩 , N·拉贾戈帕兰 , D·帕德希 , S·李
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。
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公开(公告)号：CN111344834B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201880072836.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本文所描述的实施方式涉及形成氮化硅膜的方法。在一个实施方式中，使包括含硅气体和第一含氮气体的第一工艺气体组流入工艺腔室中。通过以第一频率和第一功率水平将第一射频功率施加到所述第一工艺气体组来沉积初始化层。中断所述第一工艺气体组的所述第一含氮气体的第一流动，并且使包括所述含硅气体、第二含氮气体和含氢气体的第二工艺气体组流入所述工艺腔室中。通过以高于所述第一频率的第二频率和高于所述第一功率水平的第二功率水平将第二RF功率施加到所述第二工艺气体组来在所述初始化层上沉积体氮化硅层。
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公开(公告)号：CN116324021A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180064959.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34
Abstract: 示例处理方法可包括形成含硅和氮前驱物的第一沉积等离子体。方法可包括利用第一沉积等离子体在半导体基板上沉积氮化硅材料的第一部分。可形成含氦和氮前驱物的第一处理等离子体以利用第一处理等离子体来处理氮化硅材料的第一部分。第二沉积等离子体可沉积氮化硅材料的第二部分，且第二处理等离子体可处理氮化硅材料的第二部分。第一处理等离子体中的氦气对氮气的流率比可低于第二处理等离子体中的He/N2流率比。来自形成第一处理等离子体的等离子体功率源的第一功率水平可低于形成第二处理等离子体的第二功率水平。
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公开(公告)号：CN112204706B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201980036655.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/311
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113166932A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980081255.6
申请日：2019-10-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/455
Abstract: 提供用于沉积硬掩模材料和膜的方法，并且更具体地，提供用于沉积磷掺杂的氮化硅膜的方法。在处理腔室中在基板上沉积材料的方法，包括：在等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)工艺期间，在RF功率的存在下将基板暴露于沉积气体以在基板上沉积磷掺杂的氮化硅膜。沉积气体含有一种或多种硅前驱物、一种或多种氮前驱物、一种或多种磷前驱物、以及一种或多种载气。磷掺杂的氮化硅膜的磷浓度在约0.1原子百分比(原子％)至约10原子％的范围内。
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公开(公告)号：CN111344834A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880072836.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本文所描述的实施方式涉及形成氮化硅膜的方法。在一个实施方式中，使包括含硅气体和第一含氮气体的第一工艺气体组流入工艺腔室中。通过以第一频率和第一功率水平将第一射频功率施加到所述第一工艺气体组来沉积初始化层。中断所述第一工艺气体组的所述第一含氮气体的第一流动，并且使包括所述含硅气体、第二含氮气体和含氢气体的第二工艺气体组流入所述工艺腔室中。通过以高于所述第一频率的第二频率和高于所述第一功率水平的第二功率水平将第二RF功率施加到所述第二工艺气体组来在所述初始化层上沉积体氮化硅层。
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公开(公告)号：CN113169022B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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公开(公告)号：CN116635977A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180086356.X
申请日：2021-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括使可包括含氮前驱物、含硅前驱物和载气的沉积气体流至基板处理腔室的基板处理区域中。含氮前驱物与含硅前驱物的流率比可大于或约为1:1。方法可进一步包括由沉积气体产生沉积等离子体，以在基板处理腔室中的基板上形成含硅和氮的层。可用处理等离子体处理含硅和氮的层，在无含硅前驱物的情况下由载气形成所述处理等离子体。处理等离子体中载气的流率可大于沉积等离子体中载气的流率。
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