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公开(公告)号：CN113597659A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202080021717.8
申请日：2020-01-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , M·D·威尔沃斯 , L·M·泰德斯奇 , D·S·卞 , P·A·克劳斯 , P·A·克里米诺儿 , C·李 , R·丁德萨 , A·施密特 , D·M·库萨
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。
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公开(公告)号：CN106783499B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201611028706.4
申请日：2016-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 描述了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包含具有RF热电极和返回电极的壳体。所述壳体包括界定流动路径的气体入口和正面。所述RF热电极包括基本上平行于所述流动路径定向的第一表面。所述返回电极包括第一表面，所述第一表面基本上平行于所述流动路径定向并与所述RF热电极的第一表面相隔开以形成间隙。还描述了与所述等离子体源组件相结合的处理腔室和使用所述等离子体源组件的方法。
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公开(公告)号：CN109477219B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201780045536.7
申请日：2017-08-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C14/50 , C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/18
Abstract: 本文所描述实现大体涉及处理腔室中的金属氧化物沉积。更特定地，本文所公开的实现涉及组合的化学气相沉积和物理气相沉积腔室。使用单一氧化物金属沉积腔室，能够执行CVD及PVD两者以有利地减小均匀半导体处理的成本。此外，所述单一氧化物金属沉积系统减小沉积半导体基板所必要的时间，且减小处理半导体基板所需要的占用面积。在一个实现中，所述处理腔室包含设置在腔室主体中的气体分配平板、设置在所述腔室主体中的一个或更多个金属靶以及设置在所述气体分配平板和一个或更多个靶下方的基板支撑件。
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公开(公告)号：CN109997214A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201780073879.4
申请日：2017-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213
Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
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公开(公告)号：CN107338423A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710545902.7
申请日：2016-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/687
Abstract: 公开了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包括：壳体，所述壳体具有气体入口和正面；在所述壳体中的RF热电极，所述RF热电极具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对并且限定所述RF热电极的厚度；在所述壳体中的第一返回电极，所述返回电极具有第一表面，所述第一表面与所述RF热电极的所述第一表面相隔开以形成第一间隙；以及在所述壳体中的第二返回电极，所述第二返回电极具有第一表面，所述第一表面与所述RF热电极的所述第二表面相隔开以形成第二间隙，从而使得相对于所述第一间隙，所述第二间隙在所述RF热电极的相对侧上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137930A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202180057838.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 示例性基板处理系统可包括腔室主体，所述腔室主体限定传送区域。系统可包括第一盖板，所述第一盖板沿第一盖板的第一表面安置在腔室主体上。第一盖板可限定穿过第一盖板的多个孔口。系统可包括与穿过第一盖板限定的多个孔口的孔口数量相等的多个盖堆叠。系统可包括多个隔离器。多个隔离器中的隔离器可定位在多个盖堆叠中的每个盖堆叠与穿过第一盖板限定的多个孔口中的对应孔口之间。系统可包括多个介电板。多个介电板中的介电板可安置在多个隔离器中的每个隔离器上。
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公开(公告)号：CN109643677B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201780051612.5
申请日：2017-06-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。
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公开(公告)号：CN110289228A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910203752.0
申请日：2019-03-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Y·潘 , V·克里斯瓦桑 , S·毛 , K·陈 , M·D·威尔沃思 , A·萨布莱曼尼 , A·戈埃尔 , C-S·陆 , P·A·克劳斯 , P·J·泰伊 , L·泰代斯基
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文所述的实施方式包括谐振工艺监视器以及形成这种谐振工艺监视器的方法。在一个实施方式中，谐振工艺监视器包括框架，所述框架具有第一开口和第二开口。在一个实施方式中，谐振主体密封框架的第一开口。在一个实施方式中，在谐振主体的第一表面上的第一电极接触框架，并且第二电极在谐振主体的第二表面上。实施方式还包括背板，所述背板密封框架的第二开口。在一个实施方式中，背板机械地耦接到框架，并且谐振主体、背板和框架的内表面限定空腔。
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公开(公告)号：CN112701025B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202011589113.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/32
Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
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