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公开(公告)号：CN115152009A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016910.7
申请日：2021-01-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , L·泰德斯奇 , J·孙 , P·A·克劳斯 , 李晓璞 , K·贝拉 , M·D·威尔沃斯 , 阿尔伯特三世·B·希克斯 , L·J·恩曼 , M·J·萨利 , D·T·麦克科米克
Abstract: 本文中公开的实施例包括一种传感器。在一实施例中，传感器包括：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。在一实施例中，传感器进一步包括：第一电极，所述第一电极在所述基板的所述第一表面之上；以及第二电极，所述第二电极在所述基板的所述第一表面之上且相邻于所述第一电极。在一实施例中，传感器进一步包括：阻挡层，所述阻挡层在所述第一电极和所述第二电极之上。
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公开(公告)号：CN109643677A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051612.5
申请日：2017-06-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B2201/047 , B81C1/00031 , B81C1/00412 , C23C16/4401 , C23C16/52 , H01L21/67288
Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。
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公开(公告)号：CN108604556A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680079917.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L22/10 , G01D21/02 , H01L21/67253
Abstract: 实施例包括工艺监测装置及使用这种工艺监测装置的方法。在实施例中，该工艺监测装置包括一基板。该工艺监测装置亦可包括多个传感器，该多个传感器形成在该基板的一支撑面上。按照实施例，每个传感器能够产生对应于一处理状况的一输出信号。此外，实施例包括一工艺监测装置，其包括形成在该基板上的一网络接口装置。按照实施例，该多个传感器的每一个通信耦合至该网络接口装置。该网络接口装置允许在处理操作期间将得自所述传感器的所述输出信号无线传送至一外部计算机。
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公开(公告)号：CN108604556B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201680079917.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 实施例包括工艺监测装置及使用这种工艺监测装置的方法。在实施例中，该工艺监测装置包括一基板。该工艺监测装置亦可包括多个传感器，该多个传感器形成在该基板的一支撑面上。按照实施例，每个传感器能够产生对应于一处理状况的一输出信号。此外，实施例包括一工艺监测装置，其包括形成在该基板上的一网络接口装置。按照实施例，该多个传感器的每一个通信耦合至该网络接口装置。该网络接口装置允许在处理操作期间将得自所述传感器的所述输出信号无线传送至一外部计算机。
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公开(公告)号：CN108604557B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201680080073.3
申请日：2016-12-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 实施例包括自知基板和用于利用自知基板的方法。在一个实施例中，处理自知基板的方法可包括启动自知基板上的处理操作。处理操作可以是在生产基板上的功能装置的制造中所使用的任何处理操作。该方法可进一步包括接收来自自知基板上的一或多个传感器的输出信号。在一些实施例中，一或多个传感器形成在基板的非生产区域上。该方法可进一步包括将输出信号和与一或多个处理条件相关联的端点标准比较。例如，端点标准可与处理条件(如膜厚度)相关联。该方法可进一步包括当满足该端点标准时，结束该处理操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115176328A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202180016547.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了用于等离子体腔室条件监测的电容传感器和电容感测数据集成。在示例中，等离子体腔室监测系统包括：多个电容传感器；电容数字转换器；以及应用处理服务器，所述应用处理服务器耦合至所述电容数字转换器，所述应用处理服务器包括系统软件。所述电容数字转换器包括：绝缘接口，所述绝缘接口耦合至所述多个电容传感器；电源，所述电源耦合至所述绝缘接口；现场可编程门阵列固件，所述现场可编程门阵列固件耦合至所述绝缘接口；以及专用集成电路，所述专用集成电路耦合至所述现场可编程门阵列固件。
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公开(公告)号：CN109643677B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201780051612.5
申请日：2017-06-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。
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公开(公告)号：CN115135967A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015393.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文公开的实施例包括传感器组件。在实施例中，传感器组件包括传感器模块和壳体组件。在实施例中，所述传感器模块包括；基板；电容器，所述电容器具有在所述基板上的第一电极和第二电极；以及电容到数字转换器(CDC)，所述CDC电耦合至所述第一电极和所述第二电极。在实施例中，所述壳体组件附接至所述传感器模块并且包括：轴件，其中所述轴件是中空的；以及帽，所述帽在所述轴件的第一端上，其中所述帽具有暴露所述电容器的开口。
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公开(公告)号：CN108780765A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016331.6
申请日：2017-01-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： L·泰德斯奇
CPC classification number: H01L22/26 , C23C16/52 , H01L21/0262 , H01L22/12
Abstract: 实施例包括用于检测由晶片处理工具执行的材料沉积和材料移除的装置和方法。在实施例中，安装于晶片处理工具的处理腔室上的一或多个微传感器能够在真空条件下操作和/或可在无等离子体晶片制造处理期间实时测量材料沉积和移除速率。亦描述及主张其他实施例。
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