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公开(公告)号：CN115152009A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016910.7
申请日：2021-01-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , L·泰德斯奇 , J·孙 , P·A·克劳斯 , 李晓璞 , K·贝拉 , M·D·威尔沃斯 , 阿尔伯特三世·B·希克斯 , L·J·恩曼 , M·J·萨利 , D·T·麦克科米克
Abstract: 本文中公开的实施例包括一种传感器。在一实施例中，传感器包括：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。在一实施例中，传感器进一步包括：第一电极，所述第一电极在所述基板的所述第一表面之上；以及第二电极，所述第二电极在所述基板的所述第一表面之上且相邻于所述第一电极。在一实施例中，传感器进一步包括：阻挡层，所述阻挡层在所述第一电极和所述第二电极之上。
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公开(公告)号：CN113330141B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201980089876.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/04 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113330141A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089876.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/04 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。
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公开(公告)号：CN120035879A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202380072629.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/67
Abstract: 一种方法包括：在蚀刻腔室内提供基底结构，所述基底结构包括设置在基板上的目标层和设置在目标层上的蚀刻掩模；在蚀刻腔室内使用亚硫酰氯来干式蚀刻目标层以获得经处理的基底结构；以及之后形成多个特征。经处理的基底结构包括由蚀刻掩模限定的多个特征和多个开口。所述方法进一步包括从蚀刻腔室移除经处理的基底结构。在一些实施例中，目标层包括碳。在一些实施例中，在低于零度的温度下执行干式蚀刻。
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公开(公告)号：CN113169022B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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公开(公告)号：CN117642842A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280049542.0
申请日：2022-05-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , B·J·布扬 , M·J·萨利 , A·B·玛里克
IPC: H01L21/02 , C23C16/56 , C23C16/505 , C23C16/22 , H01L21/033
Abstract: 示例性沉积方法可包括将含钌前驱物和含氢前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。含钌前驱物或含氢前驱物中的至少一者可包括碳。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积钌和碳材料。
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公开(公告)号：CN113169022A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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