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公开(公告)号：CN119032413A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380034496.1
申请日：2023-04-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 装置向腔室的处理容积提供等离子体。所述装置可包括多个等离子体源，每个等离子体源至少具有介电管入口和气体入口，所述介电管入口至少部分地由被配置为连接到RF功率以产生等离子体的导电管包围，所述气体入口定位成与所述介电管入口相对，所述气体入口用于处理气体和介电管，所述介电管直接连接到所述多个等离子体源中的每一者，其中所述介电管被配置为至少部分地包含由多个等离子体源产生的等离子体以及经由所述介电管中的孔释放在所述等离子体中产生的自由基。
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公开(公告)号：CN118974873A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202280094594.X
申请日：2022-10-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，一种被配置用于等离子体处理腔室的匹配网络包括：输入端，被配置为接收一个或多个射频(RF)信号；输出端，被配置为将一个或多个RF信号输送至处理腔室；第一传感器和第二传感器，第一传感器可操作地连接至所述输入端，第二传感器可操作地连接至所述输出端并且被配置为在操作期间测量阻抗；至少一个可变电容器，连接至所述第一传感器和所述第二传感器；以及控制器，基于经测量的阻抗，被配置为基于在电压波形的脉冲状态下测量的加权输出阻抗值将匹配网络的至少一个可变电容器调谐至第一目标位置，并且基于在电压波形的脉冲状态下测量的加权输入阻抗值将至少一个可变电容器调谐至第二目标位置。
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公开(公告)号：CN118215982A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074418.X
申请日：2022-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于在等离子体处理期间对在等离子体处理腔室中的基板上形成的电位进行实时测量和控制的装置和方法。本公开的实施例包括一种等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括基板支撑件，所述基板支撑件设置在等离子体处理系统的处理体积内，所述基板支撑件包括基板支撑表面和设置在第一电极与基板支撑表面之间的介电层。所述等离子体处理系统进一步包括第一产生器，所述第一产生器耦接至所述等离子体处理系统的第二电极；以及传感器，所述传感器被设置为距基板支撑表面第一距离。第一产生器被配置为在处理体积内产生等离子体。所述第一电极设置成距所述基板支撑表面达第二距离，并且所述第一距离小于所述第二距离。所述传感器通常被配置为检测在等离子体处理期间在基板上形成的电场强度和/或电压。
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公开(公告)号：CN118202439A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280074213.1
申请日：2022-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供的实施例总体上包括用于控制处理腔室中的离子能量分布的装置、等离子体处理系统和方法。本公开内容的一个实施例涉及一种等离子体处理方法。方法总体上包括：确定电压和/或功率，电压和/或功率与要施加至处理腔室的第一电极的偏压信号相关联，电压是基于处理腔室的处理区域内的压力确定的，使得电压不足以通过向第一电极施加电压和/或功率而在腔室内生成等离子体；根据所确定的电压和/或功率向第一电极施加第一偏压信号；以及向处理腔室的第二电极施加第二偏压信号，其中第二偏压信号被配置为在处理区域中生成等离子体，且第一偏压是在施加第二偏压的同时被施加的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117524848A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311477340.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/50 , C23C16/56 , C23C16/26 , G03F7/20 , H01L21/311 , H01L21/683 , H01L21/67 , H10B43/27 , H10B41/20 , H01L21/033 , H10B41/27 , H10B43/20 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。
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公开(公告)号：CN117501404A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042979.1
申请日：2022-05-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供的实施例大体包括用于产生在处理腔室中等离子体处理基板的波形的设备、等离子体处理系统和方法。本公开的实施例包括用于产生脉冲电压波形的设备和方法，该设备和方法包括：在产生脉冲电压波形的过程的第一阶段期间将主电压源耦合到电极，其中电极设置在处理腔室内，在产生脉冲电压波形的过程的第二阶段期间将接地节点耦合到电极，在产生脉冲电压波形的过程的第三阶段期间将第一补偿电压源耦合到电极，并且在产生脉冲电压波形的过程的第四阶段期间将第二补偿电压源耦合到电极。
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公开(公告)号：CN117321709A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280032757.1
申请日：2022-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01F27/25
Abstract: 用于形成高电流电感器的方法利用固体核心材料来形成带状导体。在一些实施例中，方法可包括：形成纵向穿过固体核心传导材料的中心开口，其中所述固体核心传导材料具有外直径，所述中心开口形成所述固体核心传导材料的内直径，并且所述外直径和所述内直径之间的差是所述高电流电感器的带状导体的厚度；以及移除所述固体核心传导材料的螺旋部分以形成所述高电流电感器的所述带状导体，其中所述螺旋部分的宽度形成所述带状导体的绕线之间的间隙间隔。
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公开(公告)号：CN113227859A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980083890.8
申请日：2019-12-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的方面涉及用于制造波导的装置。在一个实例中，利用成角度的离子源来朝向基板投射离子以形成包括成角度的光栅的波导。在另一个实例中，利用成角度的电子束源来朝向基板投射电子以形成包括成角度的光栅的波导。本公开内容的另外的方面提供了用于利用成角度的离子束源和成角度的电子束源来在波导上形成成角度的光栅的方法。
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公开(公告)号：CN109075067A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027603.2
申请日：2017-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杨扬 , 露西·陈 , 杰·周 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 肯尼思·S·柯林斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 刘菁菁 , 史蒂文·莱恩 , 贡萨洛·蒙罗伊 , 詹姆斯·D·卡达希
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 提供用于形成具有期望的膜密度、机械强度及光学膜性质的类金刚石碳层的方法。在一个实施方式中，形成类金刚石碳层的方法包括下列步骤：在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体，以及在该基板的该表面上形成类金刚石碳层。所述类金刚石碳层由电子束等离子体工艺形成，其中类金刚石碳层作为半导体应用中的蚀刻工艺中的硬模层。所述类金刚石碳层可通过以下步骤形成：轰击设置在处理腔室中的含碳电极，以在设置于处理腔室中的基板的表面上方的含碳气体混合物中产生次级电子束，和在基板的表面上由该气体混合物的元素形成类金刚石碳层。
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