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公开(公告)号：CN110603621A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880027286.9
申请日：2018-04-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 等离子体反应器包括具有提供等离子体腔室的内部空间的腔室主体、将处理气体输送至等离子体腔室的气体分配器、耦接至等离子体腔室以将腔室抽空的泵、用于保持工件的工件支撑件及腔内电极组件，该腔内电极组件包括在等离子体腔室的顶板与工件支撑件之间横向延伸通过等离子体腔室的多个灯丝。每根灯丝包括由圆柱形绝缘外壳围绕的导体。多个灯丝包括第一多数个灯丝及与所述第一多数个灯丝以交替模式排列的第二多数个灯丝。RF电源经配置成将第一RF输入信号施加至第一多数个灯丝。
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公开(公告)号：CN103094045B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201210548948.1
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN107516627A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710702460.2
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103035469B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201210391087.0
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103050362B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210549648.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103426711B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310360195.6
申请日：2010-06-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 , 安德鲁·源 , 杰弗瑞·马丁·萨利纳斯 , 伊玛德·尤瑟夫 , 明·徐
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32935
Abstract: 通过使高架RF源功率施加器绕倾斜轴倾斜来执行等离子体蚀刻速率分布中的歪斜校正，倾斜轴的角度是由处理数据中的歪斜来确定的。通过结合对浮置板进行支撑的精确的三个轴向运动伺服系统来提供运动的完全自由度，从该浮置板悬挂高架RF源功率施加器。
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公开(公告)号：CN103050363A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210549657.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN102216240A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145268.1
申请日：2009-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: C04B41/85 , C04B41/81 , C04B41/45 , C04B35/553 , C04B35/01
CPC classification number: C03C10/16 , C03C3/247 , C03C3/325 , C03C8/24 , C03C2204/00 , C04B35/119 , C04B37/005 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/445 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/80 , C04B2237/06 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , C04B2237/10 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/60 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , H01L21/6719
Abstract: 本发明的实施例与适用于等离子体处理腔室中的设备的部件结构相关。使用含氟氧化物的釉料、玻璃陶瓷及其组合物将该部件结构的部分接合在一起。该接合材料抗含卤素的等离子体并且显现所需求的机械特性。
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公开(公告)号：CN1960830A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017518.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·R·瑞斯 , 克拉斯·H·比约克曼 , 赵军 , 肯尼思·S·柯林斯 , 托马斯·缪
CPC classification number: H05K3/3478 , H01L21/4853 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/742 , H01L2224/05573 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H05K2201/10212 , H05K2203/0338 , H05K2203/041 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 在本发明的第一方面，提供了一种可编程转移装置，用于将导电零件转移至目标衬底的电极垫。该可编程转移装置包括：(1)转移衬底；以及(2)形成在所述转移衬底上的多个独立的可寻址电极。每个电极均适于在向目标衬底的电极垫转移所述导电零件期间选择性地吸引并保持所述导电零件。还提供了其他数个方面。
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公开(公告)号：CN1693536A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068279.8
申请日：2005-05-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/513
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C14/48 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/2001 , H01L21/02126 , H01L21/2236 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/6659 , Y10T29/5313
Abstract: 一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约10兆赫大小的高频射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流，向工件施加一或几兆赫大小的低频射频等离子体偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。
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