公开(公告)号：CN1693536A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510068279.8

申请日：2005-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 塙广二 ,  卡里提克·拉玛瓦米 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  阿米尔·阿尔巴亚提 ,  柏周·伽罗 ,  安德鲁·阮

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C14/48 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/6659 ,  Y10T29/5313

Abstract: 一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约10兆赫大小的高频射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流，向工件施加一或几兆赫大小的低频射频等离子体偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。

公开(公告)号：CN1693537A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510068280.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 塙广二 ,  卡里提克·拉玛瓦米 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  阿米尔·阿尔巴亚提 ,  柏周·伽罗 ,  安德鲁·阮

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/28

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C14/48 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/6659 ,  Y10T29/5313

Abstract: 一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约10兆赫大小的高频射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流，向工件施加一或几兆赫大小的低频射频等离子体偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。