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公开(公告)号：CN102245540B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN200980145269.6
申请日：2009-11-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C04B41/86 , C03C8/00 , C03C2214/20 , C04B41/009 , C04B41/5023 , H01J37/32477 , C04B41/4539 , C04B41/5055 , C04B35/10 , C04B35/00 , C04B35/14 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581
Abstract: 本发明的实施方式涉及含金属氧氟化物的釉料或含金属氟化物的釉料组合物、玻璃陶瓷组合物及其组合，其可用作抗等离子体固体基板或在其它基板上的抗等离子体保护涂层。本发明还描述制造各种结构的方法，所述方法包括掺入上述组合物，所述结构包括固体基板及在基板表面上的涂层，所述基板具有高于约1600℃的熔点，诸如为铝氧化物、铝氮化物、石英、硅碳化物、硅氮化物。
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公开(公告)号：CN102732857B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210163630.1
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号：CN103436836A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310323450.X
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
Abstract: 本发明涉及一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法。根据本发明，公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。
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公开(公告)号：CN101772589B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200880101675.8
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
Abstract: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的机率。
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公开(公告)号：CN113972162A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111232228.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106575634A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043795.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757 , H02N13/00
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN105225998A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510358900.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿卜杜·A·哈贾 , 段仁官 , A·库马尔 , 周建华 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本文描述的实施方式保护基板支撑件免受在高温下使用的腐蚀性清洁气体的腐蚀。在一个实施方式中，基板支撑件具有心轴和加热器。所述加热器具有主体。所述主体具有顶表面、侧面和底表面。所述顶表面是配置用于在基板的等离子体处理期间支持基板。提供遮罩以用于所述顶表面、侧面和底表面中的至少两者。所述遮罩是被选择用于抵抗在超过约400摄氏度的温度下对所述主体的腐蚀。
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公开(公告)号：CN102732857A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210163630.1
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号：CN106104775B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201580006256.6
申请日：2015-01-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 段仁官 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , 周建华 , N·刘 , 陈一宏 , A·B·玛里克 , S·R·恭德哈勒卡尔
Abstract: 在一个实施例中，公开一种处理腔室，其中所述处理腔室的至少一个表面具有包含SivYwMgxAlyOz的涂层，其中v的范围从约0.0196至0.2951，w的范围从约0.0131至0.1569，x的范围从约0.0164至0.0784，y的范围从约0.0197至0.1569，z的范围从约0.5882至0.6557，并且v+w+x+y+z＝1。
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公开(公告)号：CN101903558B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200880122060.3
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/16 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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