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公开(公告)号：CN114830299B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202080088499.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 闵笑全 , V·S·C·帕里米 , P·K·库尔施拉希萨 , K·李
IPC: H01L21/033 , C23C16/02 , C23C16/505 , C23C16/44
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括用含氢前驱物处理基板的表面。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括使基板与含钨前驱物接触。方法可包括在基板上形成包括钨的起始层。方法可包括由含氢前驱物处理起始层。方法可包括形成含钨前驱物和含碳前驱物的等离子体。等离子体中的氢可限于含碳前驱物中包括的氢。方法可包括在起始层上形成含钨硬掩模层。
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公开(公告)号：CN117702090A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311711345.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/503 , C23C16/509
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
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公开(公告)号：CN111564405B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202010489010.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , 金柏涵 , Z·J·叶 , S·P·贝赫拉 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , J·J·陈
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的方法。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
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公开(公告)号：CN116525400A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310691393.4
申请日：2019-12-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , V·S·C·帕里米 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
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公开(公告)号：CN116171337A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180059228.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的方法和技术。在一个示例中，方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物种注入到非晶碳膜中。在一些组合中的注入物种、能量、剂量以及温度可用以增强硬模硬度。方法进一步包括将经掺杂的非晶碳膜图案化。方法进一步包括蚀刻底层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109690736B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780056070.0
申请日：2017-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王家锐 , P·K·库尔施拉希萨 , E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·S·罗伊 , K·D·李
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方案总体上是关于集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬掩模膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。该方法包含以下步骤：将卡紧电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，通过在处理腔室中供应种晶层气体混合物并同时维持卡紧电压而在设置于基板上的膜堆层上形成包含硼的种晶层，通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物而在种晶层上形成包含硼与钨的过渡层，以及通过在处理腔室中供应主沉积气体混合物而在过渡层上形成块状硬掩模层。
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公开(公告)号：CN113748227A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080030601.0
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·M·博贝克 , V·S·C·帕里米 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李
IPC: C23C16/517 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/683
Abstract: 本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺气体导入工艺腔室；(3)从射频(RF)功率源施加功率至喷头；(4)在基板上执行处理；(5)停止施加RF功率；(6)从工艺腔室移除工艺气体；以及(7)停止施加DC功率。
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公开(公告)号：CN107731728B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201710946426.X
申请日：2015-07-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , 金柏涵 , Z·J·叶 , S·P·贝赫拉 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , J·J·陈
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种基板支撑组件。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
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公开(公告)号：CN116978782A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310953875.2
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。
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公开(公告)号：CN114901859A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080091198.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C23C16/458 , H01L21/033
Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。
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