公开(公告)号：CN114901859B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202080091198.2

申请日：2020-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  B·I·宋 ,  H·J·吴 ,  V·S·C·帕里米 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·李

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/32 ,  C23C16/458 ,  H01L21/033

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。

公开(公告)号：CN114901859A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080091198.2

申请日：2020-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  B·I·宋 ,  H·J·吴 ,  V·S·C·帕里米 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·李

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/32 ,  C23C16/458 ,  H01L21/033

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。