公开(公告)号：CN114830299B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202080088499.X

申请日：2020-11-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  V·S·C·帕里米 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·李

IPC: H01L21/033 ,  C23C16/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/44

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括用含氢前驱物处理基板的表面。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括使基板与含钨前驱物接触。方法可包括在基板上形成包括钨的起始层。方法可包括由含氢前驱物处理起始层。方法可包括形成含钨前驱物和含碳前驱物的等离子体。等离子体中的氢可限于含碳前驱物中包括的氢。方法可包括在起始层上形成含钨硬掩模层。

公开(公告)号：CN114901859A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080091198.2

申请日：2020-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  B·I·宋 ,  H·J·吴 ,  V·S·C·帕里米 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·李

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/32 ,  C23C16/458 ,  H01L21/033

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。

公开(公告)号：CN111919284A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980021152.0

申请日：2019-03-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·D·李 ,  V·K·普拉巴卡尔

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本文公开了一种用于基板制造的方法和系统。所述方法包括在处置基板之前在腔室中执行第一等离子体增强表面处理，然后，随后，在所述工艺腔室中沉积陈化材料。在所述工艺腔室中沉积多种陈化材料之后，将基板设置在所述腔室中。将所述基板在所述工艺腔室中定位成与所述陈化材料接触。执行基板处理。所述基板处理可包括以下项中的一者或多者：执行第二等离子体增强表面处理、在所述基板上形成阻挡层、或在所述基板上形成金属基硬掩模膜之前执行低频RF处理。所述金属基硬掩模膜包括一种或多种金属。

公开(公告)号：CN114901859B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202080091198.2

申请日：2020-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  B·I·宋 ,  H·J·吴 ,  V·S·C·帕里米 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·李

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/32 ,  C23C16/458 ,  H01L21/033

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。

公开(公告)号：CN115461839A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030852.3

申请日：2021-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  许璐 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·D·李

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

Abstract: 本文公开了一种用于形成碳硬模以改善沉积均匀性和蚀刻选择性的方法和设备。碳硬模可在PECVD处理腔室中形成，并且碳硬模是掺杂氮的碳硬模。使用含氮气体、含氩气体和碳氢化合物气体来形成掺杂氮的碳硬模。

公开(公告)号：CN114868238A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080090318.7

申请日：2020-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·S·C·帕里米 ,  S·拉达克里什南 ,  闵笑全 ,  S·M·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  V·普拉巴卡尔 ,  S·哈

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和底座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括配置成支撑半导体基板的支撑台板。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽件。屏蔽件可包括穿过屏蔽件限定的多个孔口。基板支撑件可包括安置在屏蔽件的孔口中的块。

公开(公告)号：CN116457495A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180069575.7

申请日：2021-09-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  K·D·李

IPC: C23C16/04

Abstract: 描述了用于在基板上沉积非晶碳层和用于用非晶碳间隙填充来填充基板特征的方法。所述方法包括执行沉积循环，所述沉积循环包括以下步骤：将烃源引入处理腔室；将等离子体引发气体引入处理腔室；在处理腔室中在大于600℃的温度下产生等离子体；以大于200nm/小时的沉积速率在基板上形成非晶碳层；以及净化处理腔室。

公开(公告)号：CN114830299A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080088499.X

申请日：2020-11-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  V·S·C·帕里米 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·李

IPC: H01L21/033 ,  C23C16/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/44

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括用含氢前驱物处理基板的表面。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括使基板与含钨前驱物接触。方法可包括在基板上形成包括钨的起始层。方法可包括由含氢前驱物处理起始层。方法可包括形成含钨前驱物和含碳前驱物的等离子体。等离子体中的氢可限于含碳前驱物中包括的氢。方法可包括在起始层上形成含钨硬掩模层。