公开(公告)号：CN115461839A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030852.3

申请日：2021-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闵笑全 ,  许璐 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·D·李

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50

Abstract: 本文公开了一种用于形成碳硬模以改善沉积均匀性和蚀刻选择性的方法和设备。碳硬模可在PECVD处理腔室中形成，并且碳硬模是掺杂氮的碳硬模。使用含氮气体、含氩气体和碳氢化合物气体来形成掺杂氮的碳硬模。

公开(公告)号：CN113498442A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202080017849.3

申请日：2020-02-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·S·权 ,  许璐 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  S·李 ,  D·H·李 ,  K·D·李

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开的实施方式大致关于清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。

公开(公告)号：CN113366624A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202080011909.0

申请日：2020-01-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许璐 ,  S·M·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  B·S·权 ,  V·S·C·帕里米 ,  K·D·李 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 此处所述的实施例涉及用于监控静电卡紧性能的方法及工具。性能测试仅需要一个翘曲的基板及一个参考基板来执行。为了运行测试，参考基板定位于工艺腔室中静电卡盘上，且翘曲的基板定位于参考基板上。电压从功率源施加至静电卡盘，产生静电卡紧力以将翘曲的基板紧固至参考基板。此后，渐进地减少施加的电压，直到静电卡紧力太弱而无法将翘曲的基板维持在平坦的形式，导致翘曲的晶片解卡紧。通过使用传感器在沉积期间监控腔室的阻抗，可识别解卡紧的阈值电压，在此处参考基板的阻抗和翘曲的基板的阻抗偏移。

公开(公告)号：CN112041480A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980028655.0

申请日：2019-04-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许璐 ,  B·S·权 ,  V·卡尔塞卡尔 ,  V·K·普拉巴卡尔 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  D·H·李 ,  K·D·李

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/26 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明的实施例总体上涉及在厚膜沉积期间在等离子体处理腔室中减少电弧的装置。在一个实施例中，当在基板上沉积厚(大于两微米)层时，使用包括比基板的外径大约0.28英寸至约0.38英寸的内径的边缘环。层可以是介电层，诸如碳硬掩模层，例如非晶碳层。由于在厚层的沉积期间，在基板的外边缘和边缘环的内边缘之间的0.14英寸至0.19英寸的间隙，因此在维持层厚度均匀性的同时减少了基板支撑表面的电弧。