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公开(公告)号：CN114737169B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210426147.1
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN113056807B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN111564405B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202010489010.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , 金柏涵 , Z·J·叶 , S·P·贝赫拉 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , J·J·陈
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的方法。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
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公开(公告)号：CN116490964A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180072311.7
申请日：2021-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 黎坚 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , M·G·库尔卡尼 , P·L·布里尔哈特 , V·斯里尼瓦萨穆尔西 , K·吴 , W·张
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性基板支撑组件可包括限定支撑表面的静电卡盘主体，所述支撑表面限定基板座。基板支撑表面可包括介电涂层。基板支撑组件可包括支撑杆，所述支撑杆与静电卡盘主体耦接。基板支撑组件可包括冷却毂，所述冷却毂定位在支撑杆的基部下方并且与冷却流体源耦接。静电卡盘主体可限定与冷却流体源连通的至少一个冷却通道。基板支撑组件可包括加热器，所述加热器嵌入静电卡盘主体内。基板支撑组件可包括AC电源棒，所述AC电源棒延伸穿过支撑杆并与加热器电耦接。基板支撑组件可包括多个空隙，所述多个空隙形成在至少一个冷却通道和加热器之间的静电卡盘主体内。
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公开(公告)号：CN116490963A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180072290.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , D·R·B·拉吉 , R·豪莱德 , A·凯什里 , S·G·卡马斯 , D·A·迪兹尔诺 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·斯里瓦斯塔瓦 , K·R·恩斯洛 , 韩新海 , D·帕德希 , E·P·哈蒙德
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括处理腔室及至少部分设置在处理腔室内的静电吸盘。静电吸盘可包括至少一个电极和加热器。一种半导体处理系统可包括电源，向电极提供信号来提供静电力，以将基板紧固至静电吸盘。所述系统还可包括滤波器，所述滤波器通信耦合在电源与电极之间。所述滤波器被配置为在维持基板上的静电力的同时移除因操作加热器而引入吸附信号中的噪声。滤波器可包括有源电路系统、无源电路系统或两者，并且可包括调整电路以设置滤波器的增益，使得来自滤波器的输出信号电平对应于用于滤波器的输入信号电平。
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公开(公告)号：CN109075025B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780023993.6
申请日：2017-03-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , K·嘉纳基拉曼 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/66
Abstract: 本说明书所述实施例总体上有关在沉积工艺期间对基板支撑件与气体分配媒介之间的处理间距的动态、实时控制。于沉积工艺期间的任何时间，利用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积工艺期间可校平、倾斜、旋转、摇晃和/或移动基板和/或基板支撑件，以达到改善的膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷头的校平的持续变化，可得到对各层的独立调校，以平均化基板上的有效沉积，因而改良整体的叠层沉积性能。
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公开(公告)号：CN115443528A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180030923.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , C23C16/455 , B25J15/00 , B25J15/06 , B25J11/00
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括多个处理区域。所述系统可以包括限定与多个处理区域流体耦合的转移区域的转移区域外壳。所述系统可以包括多个基板支撑件，并且多个基板支撑件中的每个基板支撑件可以在转移区域与多个处理区域中的相关联的处理区域之间垂直平移。所述系统可以包括转移装置，所述转移装置包括延伸穿过转移区域外壳的可旋转轴。转移装置可包括与可旋转轴耦接的终端受动器。终端受动器可包括限定与净化源流体耦接的中央孔的中央毂。终端受动器还可以包括多个臂，所述多个臂具有与多个基板支撑件的基板支撑件数量相等的臂数量。
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公开(公告)号：CN107731728B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201710946426.X
申请日：2015-07-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , 金柏涵 , Z·J·叶 , S·P·贝赫拉 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , J·J·陈
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种基板支撑组件。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
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公开(公告)号：CN106133873B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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