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公开(公告)号：CN116490963A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180072290.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , D·R·B·拉吉 , R·豪莱德 , A·凯什里 , S·G·卡马斯 , D·A·迪兹尔诺 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·斯里瓦斯塔瓦 , K·R·恩斯洛 , 韩新海 , D·帕德希 , E·P·哈蒙德
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括处理腔室及至少部分设置在处理腔室内的静电吸盘。静电吸盘可包括至少一个电极和加热器。一种半导体处理系统可包括电源，向电极提供信号来提供静电力，以将基板紧固至静电吸盘。所述系统还可包括滤波器，所述滤波器通信耦合在电源与电极之间。所述滤波器被配置为在维持基板上的静电力的同时移除因操作加热器而引入吸附信号中的噪声。滤波器可包括有源电路系统、无源电路系统或两者，并且可包括调整电路以设置滤波器的增益，使得来自滤波器的输出信号电平对应于用于滤波器的输入信号电平。
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公开(公告)号：CN114375486A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
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公开(公告)号：CN114375486B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
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公开(公告)号：CN113924386A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080040111.9
申请日：2020-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 在一个实例中，一种工艺腔室包括：盖组件、第一气体供应、第二气体供应、腔室主体、以及基板支撑件。所述盖组件包括气体箱、穿过所述气体箱的气体导管、挡板、以及喷头。所述气体箱包括气体分配气室和分配板，所述分配板包括多个孔洞，所述多个孔洞与所述气体分配气室对齐。所述挡板耦接所述气体箱而形成第一气室。所述喷头耦接所述挡板而形成第二气室。所述第一气体供应耦接所述气体分配气室，且所述第二气体供应系统耦接气体导管。所述腔室主体耦接所述喷头，并且所述基板支撑组件设置在所述腔室主体的内部空间内，并且经配置在处理期间支撑基板。
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