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公开(公告)号：CN116529419A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180077769.1
申请日：2021-10-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·豪莱德 , H·俞 , M·S·K·穆蒂亚拉 , Z·J·叶 , A·凯什里 , S·卡马斯 , D·R·B·拉吉 , D·帕德希
IPC: C23C16/52
Abstract: 示例性沉积方法可包括在第一电压下将半导体基板静电卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括执行沉积工艺。沉积工艺可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可包括暂停等离子体在半导体处理腔室内的形成。所述方法可包括与所述暂停同时地，将静电卡紧的第一电压增大至第二电压。所述方法可包括净化半导体处理腔室的处理区域。
