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公开(公告)号：CN114867890A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080088923.0
申请日：2020-11-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 示例性沉积方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。处理区域可在基板支撑件上容纳半导体基板。所述方法可包括，在保持含氧前驱物的等离子体的同时，使含硅前驱物以第一流率流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在时间段内使含硅前驱物的第一流率斜变(ramping)为第二流率，第二流率大于第一流率。方法可包括在半导体基板上沉积含硅材料。
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公开(公告)号：CN116940707A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280014221.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·达纳克什鲁尔 , S·佩马萨尼 , M·G·库尔卡尼 , M·S·K·穆蒂亚拉
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文提供了用于减少处理腔室内的一个或多个表面上的不期望的残留材料沉积和堆积的装置和方法。在本文公开的实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有限定处理容积的腔室底座、一个或多个侧壁和腔室盖；喷头，所述喷头设置在腔室盖中并具有与处理容积相邻的底表面；隔离器，所述隔离器设置在腔室盖和一个或多个侧壁之间。隔离器包括接触喷头的第一端；与第一端相对的第二端；连接到第一端并从第一端朝向第二端径向向外延伸的倾斜内壁；以及与倾斜内壁成不同角度的下内壁。隔离器的第一端和倾斜内壁形成小于90°的第一角度。
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公开(公告)号：CN116601743A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180084867.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , D·帕德希 , H·俞
IPC: H01L21/311
Abstract: 示例性沉积方法可包括经由半导体处理腔室的面板将前驱物引入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括使含氧前驱物从半导体处理腔室的基座下方流入处理区域。基座可支撑基板。基板可在基板的表面中限定沟槽。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成前驱物的第一等离子体。所述方法可包括在沟槽内沉积第一氧化物膜。所述方法可包括在处理区域中形成第二等离子体。所述方法可包括在使含氧前驱物流动的同时蚀刻第一氧化物膜。所述方法可包括在处理区域中重新形成第一等离子体。所述方法也可包括在经蚀刻的氧化物膜上沉积第二氧化物膜。
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公开(公告)号：CN117321754A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035373.5
申请日：2022-05-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面的外部区域内的多个突起的密度可以大于基板支撑表面的内部区域中的多个突起的密度。基板支撑组件可以包括与静电吸盘主体耦合的支撑柱。基板支撑组件可以包括嵌入在静电吸盘主体内的电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116209785A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180064293.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·佩马萨尼 , A·达纳克什鲁尔 , M·G·库尔卡尼 , K·C·保罗 , M·S·K·穆蒂亚拉
IPC: C23C16/455
Abstract: 示例性半导体处理腔室包括气盒。腔室可以包括基板支撑件。腔室可以包括定位在气盒和基板支撑件之间的挡板。挡板可以限定多个孔。腔室可以包括定位在挡板和基板支撑件之间的面板。面板可以特征在于面向挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面和基板支撑件可以至少部分地限定腔室内的处理区域。面板可以限定多个内部孔。内部孔中的每个内部孔可以包括大致圆柱形的孔轮廓。面板可以限定多个外部孔，所述多个外部孔定位在内部孔的径向外侧。外部孔中的每个外部孔可包括延伸穿过第二表面的圆锥形孔轮廓。
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公开(公告)号：CN114830322A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080088027.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , C23C16/458
Abstract: 示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于环形。第二导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。
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公开(公告)号：CN113474484A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016080.3
申请日：2020-01-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·卡玛斯 , D·帕德希 , A·R·巴曼 , M·S·K·穆蒂亚拉
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 此处所述的实施例涉及具有多通道分离器线轴的气体管线系统。在这些实施例中，气体管线系统将包括配置成供应第一气体的第一气体管线。第一气体管线通过在其中流动第一气体的多个第二气体管线耦合至多通道分离器线轴。多个第二气体管线中的各个气体管线将具有比第一气体管线的空间要小的空间。较小的第二气体管线将通过加热器护套包覆。由于第二气体管线的较小的空间，当第一气体流动通过第二气体管线时，加热器护套将充分加热第一气体，从而在第一气体在气体管线系统中与第二气体相遇时，消除在常规气体管线系统中发生的凝结引发的粒子缺陷。
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公开(公告)号：CN114867890B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080088923.0
申请日：2020-11-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 示例性沉积方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。处理区域可在基板支撑件上容纳半导体基板。所述方法可包括，在保持含氧前驱物的等离子体的同时，使含硅前驱物以第一流率流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在时间段内使含硅前驱物的第一流率斜变(ramping)为第二流率，第二流率大于第一流率。方法可包括在半导体基板上沉积含硅材料。
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公开(公告)号：CN117616552A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048476.5
申请日：2022-07-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , C23C16/505 , H01J37/32 , C23C16/458 , H01L21/683
Abstract: 示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的吸附主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面可以限定环形槽和/或脊。多个突起的子集可以设置在环形槽和/或脊内。基板支撑组件可以包括与吸附主体耦合的支撑柄。
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