-
公开(公告)号：CN112136202B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980033026.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , S·卡坦布里 , M·G·库尔卡尼 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 , V·K·普拉巴卡尔 , 爱德华四世·P·哈蒙德 , J·C·罗查
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/458
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于PECVD腔室的金属屏蔽件。金属屏蔽件包括基板支撑部分和轴部分。轴部分包括具有壁厚度的管状壁。管状壁具有嵌入其中的冷却剂通道的供应通道和冷却剂通道的返回通道。供应通道和返回通道中的各者是管状壁中的螺旋。螺旋供应通道和螺旋返回通道具有相同的旋转方向且彼此平行。供应通道和返回通道在管状壁中交错。通过在金属屏蔽件中交错的供应通道和返回通道，减小了金属屏蔽件中的热梯度。
-
公开(公告)号：CN116940707A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280014221.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·达纳克什鲁尔 , S·佩马萨尼 , M·G·库尔卡尼 , M·S·K·穆蒂亚拉
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文提供了用于减少处理腔室内的一个或多个表面上的不期望的残留材料沉积和堆积的装置和方法。在本文公开的实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有限定处理容积的腔室底座、一个或多个侧壁和腔室盖；喷头，所述喷头设置在腔室盖中并具有与处理容积相邻的底表面；隔离器，所述隔离器设置在腔室盖和一个或多个侧壁之间。隔离器包括接触喷头的第一端；与第一端相对的第二端；连接到第一端并从第一端朝向第二端径向向外延伸的倾斜内壁；以及与倾斜内壁成不同角度的下内壁。隔离器的第一端和倾斜内壁形成小于90°的第一角度。
-
公开(公告)号：CN111218666A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010128359.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
-
公开(公告)号：CN105714269A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510964982.0
申请日：2015-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
-
公开(公告)号：CN117321754A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035373.5
申请日：2022-05-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面的外部区域内的多个突起的密度可以大于基板支撑表面的内部区域中的多个突起的密度。基板支撑组件可以包括与静电吸盘主体耦合的支撑柱。基板支撑组件可以包括嵌入在静电吸盘主体内的电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116209785A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180064293.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·佩马萨尼 , A·达纳克什鲁尔 , M·G·库尔卡尼 , K·C·保罗 , M·S·K·穆蒂亚拉
IPC: C23C16/455
Abstract: 示例性半导体处理腔室包括气盒。腔室可以包括基板支撑件。腔室可以包括定位在气盒和基板支撑件之间的挡板。挡板可以限定多个孔。腔室可以包括定位在挡板和基板支撑件之间的面板。面板可以特征在于面向挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面和基板支撑件可以至少部分地限定腔室内的处理区域。面板可以限定多个内部孔。内部孔中的每个内部孔可以包括大致圆柱形的孔轮廓。面板可以限定多个外部孔，所述多个外部孔定位在内部孔的径向外侧。外部孔中的每个外部孔可包括延伸穿过第二表面的圆锥形孔轮廓。
-
公开(公告)号：CN107548515A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201680023407.3
申请日：2016-03-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。
-
公开(公告)号：CN118339632A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280074419.4
申请日：2022-10-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在容纳于半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积材料层。处理区域可在沉积期间保持在第一压力。方法可包括在处理区域内延伸挡板。挡板可改变处理区域内的流动路径。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成处理或蚀刻前驱物的等离子体。处理区域可在形成期间保持在第二压力。方法可包括利用处理前驱物的等离子体流出物处理沉积在基板上的材料层。处理可循环任意次数。
-
公开(公告)号：CN106653674B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201610972233.7
申请日：2016-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
-
公开(公告)号：CN115867691A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202180048269.5
申请日：2021-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，腔室主体包括侧壁和基座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的基座的基板支撑件。基板支撑件可包括被配置成支撑半导体基板的支撑平台。基板支撑件可包括与支撑平台耦接的轴。腔室可包括偏离基座的中心的前级导管以及耦接到前级导管的排气空间，前级导管用于从腔室主体排出气体。腔室可包括泵送板，泵送板包括延伸穿过的中心孔的轴，并且进一步包括用于将气体的至少一部分从腔室主体导引至排气空间的出口孔。出口孔可设置在与前级导管相对的位置处，以减少气流的不均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.025 seconds)
