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公开(公告)号：CN106098527A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN113823558A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111107874.3
申请日：2016-01-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/423
Abstract: 本公开的实施例提供了用于在半导体基板上制造具有最小的光刻覆盖误差的膜层的方法和系统。在一个实施例中，一种用于在基板上形成膜层的方法包括：将沉积气体混合物供应到设置在处理腔室中的基板支撑件上的基板上，所述沉积气体混合物包括含硅气体和反应气体；在沉积气体混合物存在于处理腔室中的情况下形成等离子体；当将沉积气体混合物供应至处理腔室中时，将电流施加至设置在处理腔室中的等离子体轮廓调制器中；以及当在基板上沉积膜层时，转动基板。
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公开(公告)号：CN106098527B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN105789040A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610004379.2
申请日：2016-01-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L27/11582 , H01L21/285 , H01L29/423
Abstract: 本公开的实施例提供了用于在半导体基板上制造具有最小的光刻覆盖误差的膜层的方法和系统。在一个实施例中，一种用于在基板上形成膜层的方法包括：将沉积气体混合物供应到设置在处理腔室中的基板支撑件上的基板上，所述沉积气体混合物包括含硅气体和反应气体；在沉积气体混合物存在于处理腔室中的情况下形成等离子体；当将沉积气体混合物供应至处理腔室中时，将电流施加至设置在处理腔室中的等离子体轮廓调制器中；以及当在基板上沉积膜层时，转动基板。
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公开(公告)号：CN106653674B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201610972233.7
申请日：2016-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653674A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610972233.7
申请日：2016-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/68742 , C23C16/4581 , H01L21/68757
Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
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公开(公告)号：CN106057636A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610195296.6
申请日：2016-03-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45523 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L27/11551 , H01L21/022 , H01L21/31144 , H01L27/11578 , H01L29/42364
Abstract: 本公开案的实现方式一般涉及结合高深宽比特征定义的薄膜及其形成方法。随着栅极高度增加，3D NAND栅极堆叠经受更高深宽比蚀刻。由于蚀刻技术的电流限制，竖直的蚀刻轮廓通常随着进入栅极堆叠中的深度增加而逐渐变尖细。本发明人已设想出通过新颖的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)膜沉积方法来补偿深沟槽中的蚀刻性能降级的独特的沉积方案。本发明人已经发现，通过使沉积态膜(例如，氮化硅)的各种性质(例如，折射率、膜的应力、膜中的掺杂剂浓度)分级，可通过补偿干法蚀刻速率和湿法蚀刻速率两者的变化来实现更均匀的蚀刻轮廓。
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公开(公告)号：CN206401293U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621195983.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/68742 , C23C16/4581 , H01L21/68757
Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
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公开(公告)号：CN207925445U
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201720958948.7
申请日：2016-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述基板支撑组件包括一个或多个升降杆，每个升降杆包括第一末端和第二末端，所述第二末端通过轴耦接至所述第一末端，所述第一末端具有平面的顶表面和扩口部分，所述扩口部分设置在所述平面的顶表面与所述轴之间；以及具有基板支撑表面的基板支撑件，所述基板支撑件包括多个通孔，其中所述多个通孔的尺寸被设定为允许所述升降杆穿过，并且每个孔具有外围内表面，所述外围内表面以一斜率设置以使得每个升降杆的所述扩口部分当与所述外围内表面接触时提供0.001密耳至21密耳的所述基板支撑表面与所述平面的顶表面之间的距离。
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公开(公告)号：CN206727059U
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201720076104.X
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01J37/32091
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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