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公开(公告)号：CN109716497B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201780057399.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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公开(公告)号：CN106098527A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN116348990A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180062270.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本技术的示例包括半导体处理方法，该方法在基板处理腔室的基板处理区域中提供基板，其中基板维持在低于或约50℃的温度。可将惰性前驱物和含烃前驱物流入基板处理腔室的基板处理区域内，其中惰性前驱物对含烃前驱物的流速比可为大于或约10:1。可从惰性前驱物和含烃前驱物产生等离子体，并且可由等离子体在基板上沉积含碳材料。含碳材料可包括类钻石碳，并且可具有大于或约60％的具有sp3杂化键的碳原子。
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公开(公告)号：CN114846595A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080088501.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , G01N21/3504 , G01N21/31
Abstract: 一种系统可以包括：主线路，用于递送第一气体；以及传感器，用于测量被递送通过主线路的第一气体中的前驱物的浓度。系统可以进一步包括：第一子线路和第二子线路，分别用于提供通往第一处理腔室和第二处理腔室的流体通路。第一子线路可以包括：第一流量控制器，用于控制流动通过第一子线路的第一气体。第二子线路可以包括：第二流量控制器，用于控制流动通过第二子线路的第一气体。可以将递送控制器配置为基于前驱物的测量到的浓度来控制第一流量控制器和第二流量控制器，以将第一气体与第二气体的第一混合物和第一气体与第二气体的第二混合物分别递送到第一半导体处理腔室和第二半导体处理腔室中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112714948A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201980060100.4
申请日：2019-08-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中讨论了用于工艺腔室的系统和方法，所述系统和方法降低了由于松动的积垢而导致的基板缺陷的严重性和发生。气体分配组件设置在工艺腔室中，并包括面板和第二构件，面板具有穿过面板形成的多个孔。面板耦接至第二构件，第二构件被配置成耦接至面板以减小面板的暴露面积并使在向工艺腔室中释放气体期间用于材料积聚的可用面积最小化。第二构件被进一步配置成改善前驱物到工艺腔室中的辉光。气体分配组件可在工艺腔室操作之前和期间被加热，并且可在工艺腔室操作之间保持加热。
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公开(公告)号：CN110808201A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910717559.9
申请日：2019-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸到所述主体的外表面。加热器设置在所述挠曲件与所述多个孔隙之间。所述挠曲件和所述切口是限制来自所述加热器的热传递从其经过的热扼流器。
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公开(公告)号：CN116368598A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180062366.X
申请日：2021-07-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本技术的示例包括用于在基板上形成含硼材料的半导体处理方法。示例性处理方法可包括：将包括含硼前驱物的沉积前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。可在半导体处理腔室的处理区域内，从沉积前驱物形成等离子体。所述方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料，其中基板的特征在于：低于或约50℃的温度。沉积态含硼材料可以特征在于：小于或约2nm的表面粗糙度，以及小于或约‑500MPa的应力水平。在一些实施例中，含硼材料的层可用作硬模。
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公开(公告)号：CN106098527B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN109716497A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057399.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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