公开(公告)号：CN116964710A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202180079522.3

申请日：2021-10-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阮芳 ,  D·凯德拉亚 ,  A·班塞尔 ,  V·S·C·帕里米 ,  R·纳拉亚南 ,  B·N·拉马穆尔蒂 ,  S·L·明斯 ,  J·G·K·约瑟夫 ,  R·乔德里

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大体圆柱形的侧壁，所述大体圆柱形的侧壁限定以径向图案布置的上部多个孔隙。上部孔隙中的每一者与净化出口中的一者流体耦接。大体圆柱形的侧壁限定下部多个孔隙，所述下部多个孔隙以径向图案布置且在上部多个孔隙下方。下部孔隙中的每一者与沉积出口中的一者流体耦接。

公开(公告)号：CN119234292A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041517.2

申请日：2023-04-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  R·纳拉亚南 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  王佳良

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种处理基板的方法，包括：使包括烃化合物和掺杂剂化合物的沉积气体流入处理容积中，所述处理容积具有定位在基板支撑件上的基板。所述处理容积保持在约0.5毫托至约10毫托的压力。所述方法包括：通过将第一RF偏压施加至所述基板支撑件，在所述基板处产生等离子体，以在所述基板上沉积掺杂类金刚石碳膜。所述掺杂类金刚石碳膜包括约5原子百分含量至约25原子百分含量的掺杂剂和第一应力性质。所述方法包括：在约220℃至约450℃下退火所述掺杂类金刚石碳膜，以形成经退火膜。所述经退火膜包括第二应力性质。所述第二应力性质的绝对值小于所述第一应力性质或在所述第一应力性质的10％以内。

公开(公告)号：CN114846595A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080088501.3

申请日：2020-11-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·凯德拉亚 ,  阮芳 ,  黄祖滨 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  M·西蒙斯 ,  K·李 ,  R·纳拉亚南 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/31

Abstract: 一种系统可以包括：主线路，用于递送第一气体；以及传感器，用于测量被递送通过主线路的第一气体中的前驱物的浓度。系统可以进一步包括：第一子线路和第二子线路，分别用于提供通往第一处理腔室和第二处理腔室的流体通路。第一子线路可以包括：第一流量控制器，用于控制流动通过第一子线路的第一气体。第二子线路可以包括：第二流量控制器，用于控制流动通过第二子线路的第一气体。可以将递送控制器配置为基于前驱物的测量到的浓度来控制第一流量控制器和第二流量控制器，以将第一气体与第二气体的第一混合物和第一气体与第二气体的第二混合物分别递送到第一半导体处理腔室和第二半导体处理腔室中。

公开(公告)号：CN113424297A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080014477.9

申请日：2020-02-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·纳拉亚南 ,  阮芳 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  D·N·凯德拉亚 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/683 ,  C23C16/32 ,  H01J37/32 ,  C23C16/505

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼‑碳膜。含烃气体混合物与含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入处理容积。硼‑碳硬掩模膜为高深宽比特征(例如10：1或以上)和小尺寸器件(例如7纳米节点或以下)提供高模量、蚀刻选择性和应力。

公开(公告)号：CN116057663A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180044400.0

申请日：2021-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阮芳 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  R·纳拉亚南 ,  D·凯德拉亚

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性的半导体处理腔室可包括气体箱。腔室可包括基板支撑件。腔室可包括定位在气体箱和基板支撑件之间的阻挡板。阻挡板可界定穿过板的多个孔口。腔室可包括位于阻挡板和基板支撑件之间的面板。面板的特征可在于面向阻挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。面板的第二表面和基板支撑件可至少部分地在半导体处理腔室内界定处理区域。面板的特征可在于中心轴线，并且面板可界定穿过面板的多个孔口。面板可界定围绕多个孔口且径向向外延伸的多个凹陷。多个凹陷中的每个凹陷可从面板的第二表面延伸到比面板的厚度要小的深度。