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公开(公告)号：CN114846595A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080088501.3
申请日：2020-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , G01N21/3504 , G01N21/31
Abstract: 一种系统可以包括：主线路，用于递送第一气体；以及传感器，用于测量被递送通过主线路的第一气体中的前驱物的浓度。系统可以进一步包括：第一子线路和第二子线路，分别用于提供通往第一处理腔室和第二处理腔室的流体通路。第一子线路可以包括：第一流量控制器，用于控制流动通过第一子线路的第一气体。第二子线路可以包括：第二流量控制器，用于控制流动通过第二子线路的第一气体。可以将递送控制器配置为基于前驱物的测量到的浓度来控制第一流量控制器和第二流量控制器，以将第一气体与第二气体的第一混合物和第一气体与第二气体的第二混合物分别递送到第一半导体处理腔室和第二半导体处理腔室中。
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公开(公告)号：CN116057663A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180044400.0
申请日：2021-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阮芳 , P·K·库尔施拉希萨 , R·纳拉亚南 , D·凯德拉亚
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性的半导体处理腔室可包括气体箱。腔室可包括基板支撑件。腔室可包括定位在气体箱和基板支撑件之间的阻挡板。阻挡板可界定穿过板的多个孔口。腔室可包括位于阻挡板和基板支撑件之间的面板。面板的特征可在于面向阻挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。面板的第二表面和基板支撑件可至少部分地在半导体处理腔室内界定处理区域。面板的特征可在于中心轴线，并且面板可界定穿过面板的多个孔口。面板可界定围绕多个孔口且径向向外延伸的多个凹陷。多个凹陷中的每个凹陷可从面板的第二表面延伸到比面板的厚度要小的深度。
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公开(公告)号：CN114901860B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202080085197.7
申请日：2020-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括界定中心孔的入口歧管。入口歧管还可界定第一通道和第二通道，且通道中的每一个可延伸穿过中心孔的径向外侧的入口歧管。腔室还可包括气体箱，气体箱的特征在于面对入口歧管的第一表面和与第一表面相对的第二表面。气体箱可界定与入口歧管的中心孔对准的中心孔。气体箱可在第一表面中界定第一环形通道，第一环形通道围绕气体箱的中心孔延伸并且与入口歧管的第一通道流体耦接。气体箱可界定第二环形通道，第二环形通道从第一环形通道径向向外延伸并且与入口歧管的第二通道流体耦接。第二环形通道可与第一环形通道流体隔离。
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公开(公告)号：CN116601754A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180080507.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性基板支撑组件包括限定基板平台的静电夹盘主体。基板平台由上表面表征。平台可限定净化孔。平台可包括设置在上表面的内部区域中的多个台面。每个台面可从上表面向上突出。平台可包括密封带，密封带从上表面以圆周图案向上延伸，并部分环绕上表面的内部区域。台面和密封带的顶表面可形成基板的支撑表面。密封带可限定多个间隙。组件可包括与静电夹盘主体耦接的支撑杆、嵌入静电夹盘主体内的加热器、和与支撑表面的净化孔耦接的背侧气源。
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公开(公告)号：CN114901860A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080085197.7
申请日：2020-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括界定中心孔的入口歧管。入口歧管还可界定第一通道和第二通道，且通道中的每一个可延伸穿过中心孔的径向外侧的入口歧管。腔室还可包括气体箱，气体箱的特征在于面对入口歧管的第一表面和与第一表面相对的第二表面。气体箱可界定与入口歧管的中心孔对准的中心孔。气体箱可在第一表面中界定第一环形通道，第一环形通道围绕气体箱的中心孔延伸并且与入口歧管的第一通道流体耦接。气体箱可界定第二环形通道，第二环形通道从第一环形通道径向向外延伸并且与入口歧管的第二通道流体耦接。第二环形通道可与第一环形通道流体隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117858975A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280057451.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·蔡 , P·K·库尔施拉希萨 , 蒋志钧 , 阮芳 , D·凯德拉亚
IPC: C23C16/44
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括形成含氟前驱物的等离子体。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中执行腔室清洁。处理区域可被至少部分地限定在面板与基板支撑件之间。方法可包括在腔室清洁期间产生氟化铝。方法可包括使处理区域内的表面与含碳前驱物接触。方法可包括使氟化铝从处理区域的表面挥发。
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公开(公告)号：CN117769754A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280052666.4
申请日：2022-07-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括电感耦合等离子体源。所述系统可包括RF功率源，所述RF功率源与电感耦合等离子体源电耦合。所述系统可包括第一气体源，所述第一气体源与电感耦合等离子体源流体耦合。所述系统可包括第二气体源。所述系统可包括双通道喷头组件，所述双通道喷头组件界定第一多个孔和第二多个孔。所述第一多个孔可与电感耦合等离子体源流体耦合。所述第二多个孔与所述第二气体源流体耦合。
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公开(公告)号：CN115280467A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202080092564.6
申请日：2020-11-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/38 , C23C16/505 , C23C16/52
Abstract: 示例性沉积方法可包括：将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和含硼前驱物一起提供含氢前驱物。含氢前驱物对含硅前驱物或含硼前驱物中的任一者的流率比率大于或约为2：1。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硅硼材料。
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公开(公告)号：CN116964710A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202180079522.3
申请日：2021-10-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大体圆柱形的侧壁，所述大体圆柱形的侧壁限定以径向图案布置的上部多个孔隙。上部孔隙中的每一者与净化出口中的一者流体耦接。大体圆柱形的侧壁限定下部多个孔隙，所述下部多个孔隙以径向图案布置且在上部多个孔隙下方。下部孔隙中的每一者与沉积出口中的一者流体耦接。
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公开(公告)号：CN116529850A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180077566.2
申请日：2021-10-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本技术的实施例包括用于制成具有改变的硼硅原子比的含硼与硅层的半导体处理方法。方法可包括使含硅前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，并且还使含硼前驱物及分子氢(H2)流入半导体处理腔室的基板处理区域中。含硼前驱物及H2可以一硼氢流速比流动。含硼前驱物及H2的流动速率可增加，同时在流动速率增加期间硼氢流速比保持恒定。含硼与硅层可在基板上沉积，并且可由从与基板接触的第一表面到最远离基板的含硼与硅层的第二表面的连续增加的硼硅比表征。
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